已有的研究表明,天线比越大,等离子损伤越厉害。所以对于每种情况(金属、多晶体硅、通孔等)应当通过评价,最后给出结果来说明在多大的天线比以下是安全的, HCPL2531供电路设计工程师参考。这也是设计规则检查(Dcsign Rule ChcGk,DRC)的一部分。

   设计MOs晶体管时,要考虑天线效应的影响。天线效应是指当大面积的金属1与栅极相连时,金属就会作为一个天线,在金属的刻蚀过程中收集周围游离的带电离子,增加金属上的电势,进而使栅电势增加。一旦电势增加到一定程度,就会导致栅氧化层击穿,如图8.33所示。图8.34所示是实际工艺中MOs器件天线效应产生的示意图,与栅极相连的大面积多晶硅也可能出现天线效应。