blBTI效应是指对器件施加负的栅压和温度应力条件
发布时间:2016/7/4 21:41:56 访问次数:1244
blBTI效应是指对器件施加负的栅压和温度应力条件下所发生的一系列现象,它DSEE6-06CC主要发生在PMOsFET中,其典型的应力条件是栅氧电场|‰smax H吒sH1・5‰snlax源、漏极和衬底均接地。NBTI效应对阈值电压的影响最为严重,并且随着应力电压和温度的升高而不断增加。
在栅极上加上应力电压,并且在源、漏极和衬底均接地的情况下进行NBTI效应的测量,以阈值电压或跨导的变化作为器件退化的失效判据,试验流程如图1l.16所示。
将封装后的测试结构放入环境温度为80~150℃的高温箱中,待测试结构上的再在栅极上加上负偏置电压。
blBTI效应是指对器件施加负的栅压和温度应力条件下所发生的一系列现象,它DSEE6-06CC主要发生在PMOsFET中,其典型的应力条件是栅氧电场|‰smax H吒sH1・5‰snlax源、漏极和衬底均接地。NBTI效应对阈值电压的影响最为严重,并且随着应力电压和温度的升高而不断增加。
在栅极上加上应力电压,并且在源、漏极和衬底均接地的情况下进行NBTI效应的测量,以阈值电压或跨导的变化作为器件退化的失效判据,试验流程如图1l.16所示。
将封装后的测试结构放入环境温度为80~150℃的高温箱中,待测试结构上的再在栅极上加上负偏置电压。
相关技术资料- 7-4blBTI效应是指对器件施加负的栅压和温度应力条件
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