热载流子是指其能量比费米能级大几个kT以上的载流子,这些载流子与晶格不处于热平衡状态。NDP6060载流子通过声子发射把能量传递给晶格,这会造成在si/so2界面处能键的断裂,热载流子也会注入s⒑2中而被俘获。键的断裂和被俘获的载流子会产生氧化层电荷和界面态,使氧化层电荷增加或波动不稳,这会影响沟道载流 子的迁移率和有效沟道势能。这就是热载流子注入效应。

   热载流子注入效应模型blMOSFET的衬底/漏极电流比率模型:

   PMOsFET的栅电流模型方程如下:

   t是热载流子退化寿命时间;C是比例常数;H是比例常数:刀是模型参数;B是模型参数;几s是漏极电流;几ub是衬底电流;几是栅电流;〃是沟道宽度。