漏雪崩热载流子(DAHC,Drain Avalanchc Hot Ca△icr)        -

由漏端强电场导致的雪崩倍增效应引起的电子从沟道获得足够高的能量, ESD5Z7.0T1G经碰撞电离后产生电子一空穴对,电子一空穴对又会产生更多的电子一空穴对,形成雪崩过程。

   衬底热电子(SHE,Substrate HOt Πcc“on)

   它是在位于表面附近的衬底区中由于热产生或注入电子到so2中形成的。当/Ds=0且吒s)0并施加较大的背栅压吒s时,自举电路中的上升过程就可以发生sHE注入现象。

   耗尽层中产生的电子或从衬底中性区扩散过来的电子在向si/S⒑2界面漂移的过程中从表面耗尽区的高电场中获得能量,其中部分电子将获得足够高的能量并越过势垒。由于热产生的电子一空穴对较少,sHE注入实际上并不重要。

   二次产生的热电子

   二次产生的热电子是由衬底电流的二次碰撞离化产生的二次少子。漏端附近的雪崩过程形成了衬底空穴电流,该空穴电流通过碰撞离化形成二次电子一空穴对,这些二次电子如同sHE一样会被注入栅氧化层中。

   在栅氧化层较薄((lOnm)和背栅偏压较大的情况下,二次电子注入效应特别严重。实际上界面处产生的热电子和热空穴会使0.25um PMOs器件的跨导和漏极电流随着时间的增加而下降。