恒定电场等比例缩小规则的基本出发点是在器件横向和纵向尺寸缩小的同时,H5TQ2G83EFR-PBC将其电压按同一比例因子α缩小,目的是保持在缩小的器件中电场形态与在原先的器件中一样。

   由于电压和电流同时缩小,因此导通电阻保持不变,本征延时的减少主要得益于栅电容的缩小。由表8.5可知,在CE等比例缩小的情况下,器件的速度提高为原来的α倍,消耗的功率为原来的1旭2,占用的芯片面积为原来的1旭2。这一结果清楚地表明尺寸缩小带来的有利影响――电路的速度将以线性关系增加,芯片的集成度(单位面积的晶体管数)按二次方关系增加,而功率密度(单位面积上的功

耗)仍然保持不变。

   CE理论的主要弱点是许多影响电路性能的参数,如硅的禁带宽度、等效热电压(″/g)、等效氧化层电荷密度、功函数差、PN结内建电势、载流子饱和速度、亚阈电流斜率、杂质扩散系数、周长面积比、介电常数、介质和硅的临界电场强度、载流子碰撞电离率及某些工艺参数的误差等,不能按比例变化。一些不希望或不应按比例变化的参数又不得不按比例变化,这些参数包括场氧化层厚度(希望尽可能厚,以减小寄生电容)、互连线厚度(希望尽可能厚,以减缓电阻的增加)、衬底浓度(希望尽可能低,以减少寄生的PN结电容)、接触孔的面积(希望尽可能大,以减少寄生串联电阻)等。