从该表中可看出,与非门的模拟寿命约是实际寿命的54倍,而或非门模拟寿命约是实际寿命的30倍。

   减小MOS管热载流子效应就可从电路拓扑结构和器件参数两方面来考虑。首先,AD8051AR-REEL从器件参数方面来分析,对有后级驱动的反相器来说,后级输入信号上升沿变化的斜率主要由前级上拉器件的电流驱动能力决定。前级上拉器件的电流驱动能力越强,信号变化越快,对抑制后级电路的热载流子退化越有效。增加前级上拉器件(PMOs管)的沟道宽度是提高电流驱动能力的主要途径。所以若反相器有后级驱动,采用长沟道宽度PMOs管可抑制热载流子退化;而且因器件热载流子退化对漏源电压和开关频率敏感,尽可能减小漏源电压和开关频率也有利于抑制热载流子效应。其次,从电路拓扑结构来分析,对抑制热载流子退化而言,与非门要比或非门有效。因此逻辑中若有或非关系,首先考虑将或非逻辑改成与非逻辑。单就或非门的抗热载流子设计来看,可在输出节点与NMOs管网络之间串联一个常开NMOS管,利用常开NMOs管的分压来减小所有并联NMOs管上的漏源电压,达到抑制热载流子退化的目的。

   与非门中顶端NMOS管最易发生热载流子退化,逻辑设计中如果能让到达顶部NMOS管的输入上升信号早于其他NMOS管的输入上升信号,热载流子对顶部MOS管的损坏程度将会减小。因此可以考虑重排输入信号线,利用信号线的延迟使最顶端的管子具有最小的开关频率。还可以将开关频率小的信号安排在与非门的A输入端,这样门电路顶部NMOS管的开关动作就不会使门的输出发生转换。