加速试验表明,为了使器件能在25℃、5V环境下工作10年,最薄的栅氧化层厚度应不小于7,2nm,随着温度的上升氧化层还得加厚(9,3nm,150℃)。 HCNW2611-500E由于短沟道器件的横向电场增强,在高电场作用下,沟道中的电子获得足够的能量成为高能电子,其中一部分越过Si/S⒑2势垒到达栅下的S⒑2中。高能电子还可以通过碰撞产生电子空穴对,引起倍增效应,空穴流入衬底形成衬底电流,进入栅氧化层中的电子引起阈值电压上升和器件跨导降低,使器件退化。

   器件尺寸的缩小,对金属一半导体接触提出了严格要求。对于1um的工艺来说,结深约为0.2um,接触层厚度不超过0。⒆um。铝是集成电路金属化最常用的材料,由于Al-Si在工艺温度下产生很强的相互作用,使浅结器件中的管道和漏电增多,为此人们采用了具有阻挡层的较复杂的金属化系统。

   电迁移是接触和互连的主要失效机理,是由电流引起的金属原子沿互连线的迁移。金属原子受静电和通常称为“电子风”力的作用而产生移动,引起金属线或接触部位开路或相邻金属线的短路。表8.7列出了连接孔的最大电流密度。

   表87 连接孔的最大电流密度