圆片级斜坡电压测试的主要目的是
发布时间:2016/6/27 22:05:07 访问次数:691
圆片级斜坡电压测试的主要目的是,从斜坡电压数据预测与时间有关的栅介质击穿失效时间,BP2325A计算缺陷密度和对氧化层进行筛选。通过设计一套有效的算法进行生产监控,影响氧化层退化的工艺过程能够被斜坡电压法检测出来。
圆片级可靠性技术作为一种实时监测技术在集成电路工艺中得到了广泛的应用,对促进可靠性的提高和产品问题的快速解决有重要作用。设计合理的测试结构可以获得定量的数据,现有的研究表明所得数据和长期可靠性数据有着良好的内在联系。
为了进行完整的监测,也应定期进行长时间的常规封装电路的可靠性试验,结合圆片级可靠性测试,可以更好地控制工艺的可靠性水平。用斜坡电压击穿进行了栅氧的可靠性评价。将击穿的栅氧电容用反应离子刻蚀仪(RIE)刻去表面的钝化层后,用扫描电镜拍摄栅氧击穿失效的图形,如图7.7所示。图中出现了强应力下CMOs工艺栅氧的击穿形貌,顶部的金属层也熔化了。
圆片级斜坡电压测试的主要目的是,从斜坡电压数据预测与时间有关的栅介质击穿失效时间,BP2325A计算缺陷密度和对氧化层进行筛选。通过设计一套有效的算法进行生产监控,影响氧化层退化的工艺过程能够被斜坡电压法检测出来。
圆片级可靠性技术作为一种实时监测技术在集成电路工艺中得到了广泛的应用,对促进可靠性的提高和产品问题的快速解决有重要作用。设计合理的测试结构可以获得定量的数据,现有的研究表明所得数据和长期可靠性数据有着良好的内在联系。
为了进行完整的监测,也应定期进行长时间的常规封装电路的可靠性试验,结合圆片级可靠性测试,可以更好地控制工艺的可靠性水平。用斜坡电压击穿进行了栅氧的可靠性评价。将击穿的栅氧电容用反应离子刻蚀仪(RIE)刻去表面的钝化层后,用扫描电镜拍摄栅氧击穿失效的图形,如图7.7所示。图中出现了强应力下CMOs工艺栅氧的击穿形貌,顶部的金属层也熔化了。
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