随机缺陷――随机缺陷定义为晶圆上性质为随机的缺陷。对于新一代产品,随机缺陷将和今天遇到的相同,但缺陷的可容许尺寸将相应缩小。 CY27C256-90WMB例如,对于250nm特征尺寸的电路,80nm的粒子在引起掩模针孔或刻蚀鼠咬(Mouse bitc)等情况下是可以承受的。但对于特征尺寸10Onm的生产来说,需要降低到40nm。对洁净室、化学供应、设备负载和现场工艺等要格外注意。

   系统缺陷――系统缺陷定义为非随机缺陷。系统缺陷会影响许多晶圆上空间丛集的芯片。随着特征尺寸的下降,系统缺陷的容限会更小。而且大直径晶圆的经济价值增加,会需要降低接受缺陷圆片的风险。

    由于系统缺陷的根源往往是各种工艺参数的复杂相互作用,因此还需要复杂的统计成品率分析方法。表3.1列出了缺陷类型和用于检测它们的技术所发生的根本转变。目前还没有高速的生产检验工具可检验深窄通孔或沟道的底部。表3.2总结了缺陷表征技术的主要预期变化。