在纯Al中加入少量的si形成Alsi合金材料,一般为1%(质量比),可以在很 大程度上解决Al尖刺现象。EL5367IU但是它将引入另一个问题,就是Si的析出问题。即在合金退火过程中,一部分Si会溶解到A1中直至饱和,而剩余的Si将会以微粒的形式存在于Al中,冷却时,这些微粒⒏会成为析出沉积Si的核,并逐步增大成为一个个si单晶的结瘤。这会使结接触电阻增大,另一方面会使键合变得困难。这就迫使人们去寻找新的金属化结构。

   A丨-阻挡层结构

   现在普遍使用的结构为△/TiN/Al,△用做黏附层及接触之用。在高温下,△与si会形成一层电阻率极低的⒎si2。TiN起阻挡层用,它可有效地阻止Aysi间的互溶,防止了结穿通的发生。