鳍背式晶体管(FinFET)技术正是在这样的状况下应运而生。∏nFET称为鳍背式场S606C-1000效应晶体管(∏nField-cffcct transistor,FinFET),它是一种新的互补金属氧化物半导体(CMOS)晶体管,栅长已可小于2snm,未来预期可以进一步缩小至%m。FhFET是源自目前传统标准的场效应晶体管(Ficld~effect transistor,FET)的一项创新设计。在传统的晶体管结构中,只能在栅极的一侧控制电路的接通与断开,属于平面架构。在FillFET的架构中,栅极类似鱼鳍的叉状3D架构,可在电路的两侧控制电路的接通与断开。这种设计可以大幅改善电路控制并减少漏电流,也可以大幅缩短晶体管的栅长,如图1.5所示。

   图1.5 集成电路中晶体管的变化

   FinFET技术对移动设备来说也变得日益重要。自2011年Intel推出商业化的2加m节点工艺的FinFET以来,目前FinFET已经在向14nm节点推进发展,并带动整个半导体制造技术与产业的发展。

   集成电路的快速发展,给可靠性保证带来了巨大的挑战。集成电路的可靠性需要深入研究可靠性物理和失效机理,结合产品的设计要求,以减少可靠性对集成电路特征尺寸进一步缩小的制约,并保证产品保持足够的可靠性容限(ReliabilityAllowance)。