存储数据丢失。ADG452BN存储数据丢失是指在外界因素作用下产生的电路误动作,使动态存储器存储电荷丢失、静态随机存储器(RAM)的存储单元翻转、动态逻辑电路信息丢失的现象,与器件本身的物理缺陷无关。

   保护电路烧毁。微电子器件在加工生产、组装、储存及运输过程中,可能与带静电的容器、测试设备及操作人员相接触,所带静电经过器件引线放电到地,使器件受到损伤或失效,叫做静电放电损伤(Elec廿o-st狨iC damagc,ESD)。它对各类器件都有损伤,而MOs器件对此特别敏感。器件抗静电能力与器件类型、输入端保护结构、版图设计、制造工艺及使用情况有关。

   器件的EsD分成1、2、3三个等级,其抗静电电压分别为2000V以下、2000~3999V及4000Ⅴ以上。在过电应力或过高的静电压作用下,保护电路会被击穿或烧毁,从而使器件失去功能,导致失效。