肖特基势垒单片式IR-CCD是基于肖特基势垒的光电子发射效应，G4BC40F-S它是为解决大面积均匀性问题而设计出来的。其主要是利用硅集成电路工艺在硅基底上制作肖特基势垒二极管面阵及信息处理部分，构成焦平面阵列。它不需要掺深能级杂质，可以获得105个电荷的载荷量，基本结构由沉积在硅上的金属(Pt或Pd)构成，在金属和P型硅之间形成肖特基势垒。

   肖特基势垒光电探测器与其他红外探测器相比，最大优点是可直接用硅集成电路工艺。此外，硅肖特基焦平面灵敏元之间的均匀性比一般红外探测器焦平面高100倍以上。其他红外探测器焦平面均匀性不好是因为载流子寿命、扩散长度及合金组分不均匀，而硅肖特基势垒焦平面是基于热电子发射，与上述参数无关。器件均匀性好，减少了固定图像噪声，使它们能对低对比的红外景物成像，并需要最少的信息处理，且焦平面机械性能坚固。