S0 9000:国际标准化组织关于净化间的标准，隔离扩散（isolation diffusion）：DLW21HN900SQ2L扩散步骤。形成围绕需要隔离区域的PN结一各向同性刻蚀( isotropic etching)：指对光刻胶的刻蚀同时向下和向侧面进行。结型场效应晶体管( junction field-effect transistor)：电压加在一个电极以控制源区和漏区之间电流的器件。

     结( junction)：材料内从P型导电转向N型导电（或相反）的界面。致命缺陷( killer defect)：呵引起器件或电路失效的缺陷。

横向扩散( lateral  diffusion)：每次当晶圆加热到接近扩散温时，掺杂物从一边扩散到另一边的过程、薄膜工艺( layering)：不同材料的薄层生长，或添加到晶圆表面的I=艺。

   导线( lead)：晶圆表面的金属条。

   发光二极管( light-emitting diode)：一种半导体器件，少数载流子的能量与空穴结合后转化为Jc -通常，但不一定由带PN结的器件构成。剥离工艺（lift-off process）：一种材料去除【：艺．材料淀积到光刻胶内的孔内，而决定图形后，光刻胶从表面被去除（剥离）。

    亮场掩模版（light field mask）：参见亮场掩模版：平版印刷术( lithography)：用来进行图案的转移，当使用光线的时候，这个词变成photc，mthog。aphy，表示光刻工艺的意思，当图案的尺寸可以使用微米来衡量的时候，这个词就变miCrolithography，代表微光刻技术的意思.