动态随机存储器：动态随机存储器( DRAM)一词基于两种主要的设计：动态和IR3086AMPBF静态（见图17.9）。动态存储器称为DRAM或动态RAM，在计算机存储器中大量使用。存储单元设计的基础仅仅是一个晶体管和一个小电容器（见图17. 10）。通过在电容器里加入电荷来存储信息、，遗憾的是，电荷会很快漏掉。要解决这个问题，存储的信息必须连续地蚕复输入电路，这个功能称为刷新( refresh)。电路每秒要刷新上千次。动态RAM在电源丢失和中断、刷新出现故障时极易受影响。

   DRAM设计的目标是高密度和紧凑的空间器件的小单元，为了提高速度，器件组成要小薄，这些需求将DRAM设计和工艺推向最高的技术水平。通过先进的、现代的设备和工艺应用于DRAM电路中，所有的优势都能获得。这种现实情况使它们成为产业中的引领电路.

   静态随机存储器：静态随机存储器( SRAM)是基于不需要刷新功能的单元设计的。一日信息输入芯片，只要电源保持打开状态将一直保留。这一性能由一个包含几个晶体管和电容的单元来完成（见图17.11）。信息按照晶体管交替开、关的条件进行存储。信息在SRAM单元上的读写速度比RAM的设计要快，这是因为晶体管的开关比电容器的充放电快得多，为了降低这种易失性和提高速度，代价是损失空间，它使静态存储器的密度比DRAM要小。