器件层必须满足一般参数和特殊参数的要求。G24101MI特殊参数将在相关的单独层中给予注释在半导体中薄膜需要满足的一般标准包括：

   ·厚度或均匀性

   ·表面平整度或粗糙度

   ·组成或核粒( grain)尺寸

   ．无应力

   ·纯净度

   ·完整性

   薄膜需要具有均匀的厚度以同时满足电性能和机械性能的要求。淀积的薄膜必须是连续的，并且没有针孑L，以阻止杂质的进入和防止层间短路。外延膜的厚度已经从5 ht,m级缩小到亚微米级，由此想到，导体层的厚度成为阻抗来源的因素之一。此外，比较薄的层容易含有较多的针孔和比较弱的机械强度。其中，备受关注的是台阶部位的厚度维护（见图12.3）。过薄的台阶部位的厚度可能导致器件中的电子短路和／或者引入并不需要的电荷。该问题在窄而深的孔和沟槽处显得尤为突出。我们称这种情形为高深宽比模式( high-aspect-ratio  pattern)。深宽比为深度除以宽度（见图12.3）。问题之一是淀积的薄膜在沟槽的边缘变薄；其二是在沟槽的底部变薄。在多层金属的结构中，高深宽比的沟槽的填充是一个主要问题。