深度（层数）

  N型与P型掺杂

  侧向扩散

  一些器件需要同型的掺杂，AD660BR所掺杂质与原有杂质类型相同。换言之，在N型晶圆中掺入N型杂质或在P型晶圆中掺入P型杂质。此种情况下，加入的杂质原子仅仅在限定区域中提高f杂质原子的浓度，不会形成结.

  扩散工艺的步骤

  在半导体晶圆中应用固态热扩散工艺( solid-state thermal diffusion)形成结需要两步，第一步称为淀积( deposition)，第二步称为推进氧化(drive-in-oxidation)。两步都是在水平式 或垂直式炉管中进行的。所用设备与第7章中所描述的氧化设备相同。

  扩散步骤    目的

  1．淀积    将掺杂剂引入晶圆表面

  2．推进    将掺杂剂推进（散布）到期望的深度