如下这砦增加的层在器件AD7548TQ或电路的结构中起着各种不同的作用：

   ·淀积掺杂的硅层，称为外延层( epitaxial layer)（见本章的相关部分）

   ·金属问的绝缘介质层( IMD)

   ·垂直（沟槽）电容器

   ·金属间互连导电寨

   ·金属导体层

   ·最终的钝化层

   薄层的淀积主要采用两种方法：化学气相淀积( CVD)和物理气相淀积(PVD)。有关蒸发和溅射的金属化淀积技术将在第13章中给予描述。本章中提到的特殊薄膜的用途将在第16章和第17章中进行详细讲解。本章介绍化学气相淀积( CVD)在常压和低压技术中

的实际运用。