热预算问题推动r高压氧化的发展。晶圆中位错的生长和在晶圆表面层中开f】的边缘二是由于氰产生的错位高温氧化的丽个问题。在第一种情况下，位错OP113F造成r器件性能的各种问题；在第二种情况下，表面位错引起表面漏电或双极型电路硅生长层的退化．

   位错的生长是反应温度和在此温度时反应时间的函数。针对这个问题，一种解决力’案是降低反应温度，此方案本身使得氧化时问变长。一种町以解决两个问题的方案是高压氧化（见图7. 25）。这些系统结构很像传统的水平式反应炉，但有一。妊显著不同是：这种炉管是密封的并且氧化剂被用10~25信大气压的压力泵入炉管。，高压氧化的外围要求用一个不锈钢套包住石英管以防止爆裂。

   图7. 25高压氧化

   在这种压力下，氧化速率比常压下更快。一个简单法则是压力每增加…个大气压，温度可以降低30℃，、在高压系统里，由于压力的增加使温度降低300℃~ 750cc。，这种降低可以使晶圆里或表面的位错生长最小。

   另…一种选择是用高压系统来维持正常的反应温度，但减少了氧化时间。其他要担心的是，高压系统的安全操作问题以及由于要产生高压而从附加的泵和管道里产生的污染、．