从另一个角度讲，感应现象就是MOS技术。在一个MOS晶体管中，K4H561638H-UCB3栅极区会长一层薄的二氧化硅（见图7.4）。如果栅上没有电荷，在源漏之间没有电流流过（见第16章）。但是有了合适的电荷，在栅下面区域感应出电荷，这样允许在源漏之间流过电流。氧化层起到介电质的功能，它的厚度是专门选定的，用来让氧化层下面栅极区产生感应电荷。栅极是器件中控制电流的都分（见第】6章）。甚大规模集成电路( ULSI)中占主导地位的MOS技术，使得栅极的形成成为工艺发展中关注的焦点。通常还有其他介质材料淀积在栅区的薄氧化层上。这些组合称为叠层栅( gate stack)，具有不同的介电常数，它能改变晶体管的电性能。热生成

的氧化层也町用来做硅晶圆表面和导电表面之间形成的电容所需的介电质（见图7.5）。

   图7.4  ■氧化硅作为场氧化层和MOS的栅氧化层    图7.5  在固态电容里的二氧化硅层二氧化硅介电层还用在两层或多层金属层的结构中。在这种应用里，二氧化硅层用化学气相淀积( CVD)的方法而不是用热氧化的方法形成（见第12章）。