晶圆外延生长对于晶圆清洁程度的严格要求导致了机械式晶圆表面洗刷器的开发。 RT9166A-12PX同时这一方法也被用在非常关键的颗粒去除中（见图5. 26）。

   刷洗器将晶圆承载在一个旋转的真空吸盘上。在一般去离子水直接冲洗晶圆表面的同时，一个旋转的刷子近距离地接触旋转的晶圆。刷子和晶圆旋转的结合在晶圆表面产生r高能量的清洗动作。液体被迫进入晶圆表面和刷子末端之间极小的空间，从而达到很高的速度，以辅助清洗。必须注意的是，要保持刷子和清洗液管道的清洁以防止二次污染。另外，刷子到晶圆的距离要保持一定以防止在晶圆表面造成划痕。

   在去离子水中加入表面活性剂可以提高清洗的效果，同时防止静电的形成。在某些应用中，稀释的氨水被用做清洗液以防止在刷子}：形成颗粒，同时控制系统中的z电势刷洗器可以设计‘为有自动j二／F料功能的独立操作单位，也可以设计为其他设备的一部分，在工艺过程前自动执行对晶片的清洗。

   高压水清洗

   对由于静电作用附着的颗粒去除首先成为玻璃和铬光刻掩模版的清洗。于是开发了高压水喷洒清洗。将一注小的水流施加2000~4000 psi的压力，水流连续不断地喷洒掩膜或晶片的表面，除去大小不一的颗粒。在水流中经常加入少剂量的表面活性剂作

为去静电剂。