由经验所得出的法则是微粒的大小必须是第一层金属半个节距( half pitch)的l/2.1。 STP10NK80ZFP半个节距是相邻金属条之间间距的1/2。落

于器件的关键部位并毁坏r器件功能的微粒被称为致命缺陷( killer def'ect)。致命缺陷还包括晶体缺陷和其他由工艺过程引入的问

题．，在任何晶片上，都存在大量微粒。有些属于致命性的，而其他一些位于器件不太敏感的区域则彳：会造成器件缺陷，2011版国际半导体技术路线图( ITRS)良品率增强部分确定缺陷与良品率的相关性，并开发更敏感缺陷和污染检测设备，作为未来技术代良品率增强的基础。

   第2章介绍了半导体器件在整食晶片上N型和P型的掺杂区域，以及在精确的N和P相邻区域，都需要具有可控的电阻率。通过在晶体和晶圆中有目的地掺杂特定的掺杂离子来实现对这3个性质的控制。非常少量的掺杂物即可实现我们希望的效果。。但遗憾的是，在晶圆中出观的极少量的具有电性的污染物也会改变器件的典型特征，改变它的J：作表现和可靠性参数。