介质材料内部的微孑L或微隙缝的产生，是由于制造工艺不良造成的。例如；由于烧结工艺不良，M27C1001-12F1特导致凝聚相与介质主晶相膨胀系数不同，在冷却过程中就造成微裂缝或小空洞。或者由于瓷料固有烧结温度与银的烧结温度不能完善地配合，使瓷介质不致密。

   银离子还通过介质表面进行迁移，其现象首先是损耗角正切值增加，然后由于电容器表面上的漏电流引起绝缘电阻下降，最终因银离子迁移而导致短路。银离子迁移与产品的结构有关，例如，在潮热负荷下，微调瓷介电容器试验几小时后就能明显地观察到银离子迁移现象。银离子迁移的结果，使得正极银面严重破坏，银层被分割成许多小银块。这样，中间隔着具有半导体性质的氧化银，使得陶瓷电容器的等效串联电阻增加，介质损耗角正切值大大增加，甚至氧化银会把两电极连接起来。银离子的严重迁移，还使得电极的有效面积逐渐减小，从而使电容量逐渐减小。

   在高湿度环境条件下，云母电容器也会产生银离子迁移现象。因为压塑型云母电容器属于半密封型的结构，水分能够通过塑料外壳或外壳与引线间因热胀冷缩系数不同产生的缝隙进入电容器内部，在电场和水的共同作用下，促使云母电容器电极的银产生迁移，从而在与阴极相连的边界上形成银，产生树枝状银的晶体，并逐渐向阳极扩展。而与阳极相连的边界上，形成黑色的氧化银。如果云母片存在裂纹或缺陷，则银离子迁移会将这些裂纹或缝隙填满，导致介质通路而使电容器击穿。银离子的迁移使得其电性能严重恶化，如电容量显著下降、介质损耗角正切值显著增加和绝缘电阻下降。银离子迁移还可能导致阳极铜箔引出线严重腐蚀，甚至开路。云母电容器的银离子迁移随负荷电压的增加和时间的延长而加剧。

   此外，银离子迁移还会使陶瓷电容器电介质老化，击穿电场强度下降，导致击穿失放。而且银电极的低频独石电容器比瓷介电容器银离子迁移严重得多。