近年来，AT89C2051-24PI随着纳米技术的不断发展，纳米结构与光学相关的特性被不断探索开发出来。例如，美国ICx Photonics公司在微米量级的金属辐射层上利用表面粗糙化技术研制出了小体积、低功耗、高辐射率的PulsIR@ MEMS红外光源[54]，如图8-2所示。瑞士Leister公司也研制了集成铂黑纳米结构的MEMS红外光源55，

通过在半导体薄膜表面上沉积铂黑材料，使光源在2~ 14 p.m波段内的辐射强度达到90 010，如图8-3所示。2008年，荷兰代尔夫特理工大学的J．F．Creemer等人研制出了以TiN纳米薄膜材料作为发热层的MEMS红外光源[56]，TiN不仅有良好的耐高温特性，而且与CMOS工艺兼容，降低了制造成本。另外，美国In-tex公司于201 1年通过等离子体增强型化学气相沉积(PECVD)方法在光源表面沉积纳米无定形碳材料作为辐射层，通过离子注入掺杂来改变其硬度、导电性等，提高了光源的辐射强度[57]。德国FRAUNHOFER物理测量技术研究所结合现有的MEMS工艺技术，加工得到微桥型红外光源，并在其表面涂覆了由纳米Al：0，颗粒形成的涂层，使红外光源的发射率得到了很大的提升[58]。在国内，复旦大学使用Pt电阻丝与SixNy-空气表面二维光子晶体制作了MEMS红外光源，其发射率较传统红外光源提高了2倍[59]。