最后在80C条件下减压、蒸馏，最终获得淡黄色的干溶胶。

   通过上述步骤， CNB1002001AU获得了制备PT薄膜和PZT薄膜的两种固溶胶。采取其浓度比例为20%，溶解这种固溶胶到乙二醇醚中，最终获得制备薄膜的溶胶。净置一段时间后，这种溶胶被用来制备热释电薄膜。净置后的溶胶被旋涂在Pt—Ti-Si3 N4 -Si02 -Si基底上，其基底每层的厚度分别为150nm，80nm，150nm，500nm，500pm。

   其制备过程中的旋涂速度为3600r/min，每次旋涂时间设定为30s，在每一层旋涂之后，得到脯膜在400℃的热板上烘烤Smin，最终通过采取这种改进型的溶胶一凝胶工艺技术在硅基底上制备了上述的三种薄膜。三种薄膜分别被旋涂1 1次，其每一次旋涂步骤完成后，制备得到的薄膜厚度大约50nm，因此，对于最终制备的三种薄膜，其厚度都在550nm左右。

   最终获得的薄膜在650℃的高温炉内退火20min，从而使其结晶形成钙钛型晶体薄膜。图3-9所示为制备过程中得到的制备上下电极的薄膜测试样品。

   图3-9制备上下电极的薄膜测试样品