硅光电二极管通常是用在反偏的光电导工作模式，它在无光照条件下， AD628ARM若给P-N结加一个适当的反向电压，则反向电压加强了内建电场，使P-N结空间电荷区拉宽，势垒增大。

   当硅光电二极管被光照时．在结区产生的光生载流子将被加强了的内建电场拉开，光生电子被拉向N区，光生空穴被拉向P区，于是形成以少数载流子漂移运动为主的光电流。显然，光电流比无光照时的反向饱和电流大得多，如果光照越强，表示在同样条件下产生的光生载流子越多，光电流就越大。

   当硅光电二极管与负载电阻RL串联时，则在R。的两端便可得到随光照度变化的电压信号，从而完成了将光信号转变成电信号的转换，如图4 -22所示。