1)光谱响应

   硅光电二极管的光谱响应特性主要由硅材料决定，响应波长范围是0.4~1.  15 ym，峰值AD640JP响应波长一般为0.8斗m。硅光电二极管对砷化镓激光波长的探测最佳，对氦一氖激光及红宝石激光亦有较高的探测灵敏度。普通硅光电二极管的光谱响应特性曲线如图4 -23所示。

   图4 -23硅光二极管光谱响应特性

   2)伏安特性

   硅光电二极管的伏安特性可表示为

 式中，～为流过硅光电二极管的总电流；Ip为光电流；Sd为电流灵敏度(A/W)；P为入射光功率(W)。

   由于硅光电二极管加的是反偏电压，所以其伏安曲线相当于向下平移了的普通二极管的伏安曲线。硅光电二极管电流灵敏度一般为0. 5A/W，Sd是一常数。也就是说，在加一定反偏电压的情况下k与入射光功率基本上呈线性关系，有很大的动态范围。

   3)频率特性及噪声性能

   硅光电二极管检测器的基本电路及其等效电路如图4 - 24所示。图(a)、(b)的差别就是输出电压是反向的。