硫化镉CdS和硒化镉CdSe光敏电阻
发布时间:2015/5/4 21:25:16 访问次数:2990
硫化镉CdS和硒化镉CdSe光敏电阻
硫化镉和硒化镉是可见光区用得较多的两种光敏电阻,其光谱响如图4 -13所示。CdS光敏电阻的特点是它的峰值波长很接近人眼最敏感的555nm波长,GA9101-2MC可用于视觉亮度有关的测量和底片曝光方面的测量。这种器件有很高的响应度,其缺点是受单晶大小的限制,受光面积小,响应时间与光照强度有关,随着光照强度减弱响应时间也增加。
硫化铅(PbS)和硒化铅(PbSe)光敏电阻
这些器件多为多晶薄膜型,温度对光电导的影响也很大,薄膜所处的温度越高,热激发的载流子越多,这和光照的作用相似。由于光照以前热激发载流子已降低了势垒高度,被陷的载流子很少;光照后势垒降低再释放的载流子就少了,载流子的迁移率变化也小了,光电导率变化就小。反之,降低器件的使用温度,热激发的载流变少,对势垒高度下降不大。光照以后降低势垒高度释放载流子多,载流子迁移率变化大,光电导率变化也大,所以降低温度可以提高光敏电阻的响应度。
硫化镉CdS和硒化镉CdSe光敏电阻
硫化镉和硒化镉是可见光区用得较多的两种光敏电阻,其光谱响如图4 -13所示。CdS光敏电阻的特点是它的峰值波长很接近人眼最敏感的555nm波长,GA9101-2MC可用于视觉亮度有关的测量和底片曝光方面的测量。这种器件有很高的响应度,其缺点是受单晶大小的限制,受光面积小,响应时间与光照强度有关,随着光照强度减弱响应时间也增加。
硫化铅(PbS)和硒化铅(PbSe)光敏电阻
这些器件多为多晶薄膜型,温度对光电导的影响也很大,薄膜所处的温度越高,热激发的载流子越多,这和光照的作用相似。由于光照以前热激发载流子已降低了势垒高度,被陷的载流子很少;光照后势垒降低再释放的载流子就少了,载流子的迁移率变化也小了,光电导率变化就小。反之,降低器件的使用温度,热激发的载流变少,对势垒高度下降不大。光照以后降低势垒高度释放载流子多,载流子迁移率变化大,光电导率变化也大,所以降低温度可以提高光敏电阻的响应度。
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