光电池适用电路
发布时间:2015/5/5 19:45:25 访问次数:1383
为了得到输出信号电压有较好的线性.由图4 -19所示的伏安特性可以看出:负载电阻越小, AD623ARM光电池工作越接近短路状态,线性就较好。硅光电池可以使用运放来测量,测量的电路图如图4 -20所示,其等效电路如图4- 21所示,等效电压源Vs =/sRs和等效内阻Rs.
可以看出,输出电压与光电流成线性关系,也就是与入射光功率成线性关系。硅光电池的长波限由硅的禁带宽度决定,为1. 15 p.m,峰值波长约为0.8斗m。如果P型硅片上的N型扩散层做得很薄(小于0.5斗m),峰值波长可向着短波方向微移,对蓝紫光谱仍有响应。硅光电池响应时间较长,它由结电容和外接负载电阻的乘积决定。
为了得到输出信号电压有较好的线性.由图4 -19所示的伏安特性可以看出:负载电阻越小, AD623ARM光电池工作越接近短路状态,线性就较好。硅光电池可以使用运放来测量,测量的电路图如图4 -20所示,其等效电路如图4- 21所示,等效电压源Vs =/sRs和等效内阻Rs.
可以看出,输出电压与光电流成线性关系,也就是与入射光功率成线性关系。硅光电池的长波限由硅的禁带宽度决定,为1. 15 p.m,峰值波长约为0.8斗m。如果P型硅片上的N型扩散层做得很薄(小于0.5斗m),峰值波长可向着短波方向微移,对蓝紫光谱仍有响应。硅光电池响应时间较长,它由结电容和外接负载电阻的乘积决定。