从晶体管理论可知，AD5667RBRMZ-2当把N型半导体和P型半导体结合在一起时，N型半导体中的电子和P型半导体中的空穴就会互相扩散，见图4 -17(a)，结果在PN区交界面附近形成一个很薄的空间电荷区，产生如图4 - 17(b)所示的内电场，方向由N区指向P区。当光线照射P-N结时，P-N绪将吸收入射光子。如果光子能量超过半导体材料的禁带宽度，则由半导体能带理论可知，在P-N结附近会产生电子和空穴。在内电场的作用下，空穴移向P区，电子移向N区，移动的结果，在N区聚集大量的电子而带上负电，在P区聚集大量的空穴而带上正电。于是在P区和N区之间产生了电势，成为光生电动势。如果用导线和电阻把N区和P区连接起来，回路中就会有光电流，流过，电流方向是由P区流向N区，如图4 - 17(c)所示，这就是光电池受光照时产生光生电动势和光电流的基本原理。

   图4 -17光电池工作原理示意图

   光电池与后面将提到的光电二极管相比，其掺杂浓度高，电阻率低(0.1~0. Olfl．cm-1)，易于输出光电流。短路光电流与入射光功率成线性关系，开路光电压与入射光功率为对数关系，如图4 -18所示。当光电池外接负载电阻RL后，负载电阻RL上所得电压和电流如图4 -19所示。RL应选在特性曲线转弯点，这时电流和电压乘积最大，光电池输出功率为最大。