TAJE157K020RNJ_TAJE157K020RNJ导读
R5和R6是反馈电阻，用于对gate电压进行采样，采样后的电压通过Q5对Q1和Q2的基极产生一个强烈的负反馈，从而把gate电压限制在一个有限的数值。这个数值可以通过R5和R6来调节。
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TAJA684M025RNJ
AO4832 AO4838 CEM3138 DMG4800LSD-13 EMB17A03G FDS6982-NL 。
Q1和Q2组成了一个反置的图腾柱，用来实现隔离，同时确保两只驱动管Q3和Q4不会同时导通。
BYP35066A BYP35014A BYF35526A BYP36078A BYI362 。
057N08N 057N08NS 05852- 06000,, 06031.5K5% 。
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TAJB686K010RNJ
市面上常有的一般为N沟道和P沟道，而P沟道常见的为低压MOS管。FET的增益等于它的transconductance， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。
BYM3312 BYM3312-X BYF333 BYP332 BYS332 。
MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能，这样的器件被认为是对称的。
因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。。这种晶体管称为金属氧化物半导体 (MOS) 晶体管，或金属氧化物半导体场效应管 (MOSFET) 。
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开关只有两种状态通和断，三极管和MOS管工作有三种状态，1、截止，2、线性放大，3、饱和（基极电流继续增加而集电极电流不再增加）。
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