BYP346_SP8K3TB导读
而电动车上上用的功率mos是立体结构。我们所见的mos管，其实内部由成千上万个小mos管并联而成，大家可能会想成千上万个小mos应该很容易出现一个或几个坏的吧，其实真没那么容易，目前的制造工艺基本保证了这些小单位各种参数高度一致性。小功率mos是平面型结构。
简单来说电机是靠NCE80H12这种MOS管的输出电流来驱动的，输出电流越大（为了防止过流烧坏MOS管，控制器有限流保护），电机扭矩就强，加速就有力，所以MOS管在电动车控制器中起到非常重要的作用。
BYP346_SP8K3TB" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202107/20210710113369306930.jpg" _src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202107/20210710113369306930.jpg" />
NCE3404Y NCE3400A NCE3400 NCE30ND07AS NCE3008N 。
BYS3105 BYP3105 BYJ31020A BYH31012A BYJ31012A BYP3104 BYF31010A BYP31013A BYS31010A BYH31055 。
BYP31538 BYP31510 BYP31575 BYH31574 BYD31523A BYH31532 BYM31580 BYH31519 BYS31535 BYM31545 。
NCE30H11K NCE3402B NCE30H10AK NCE2304 NCE3404 。
BYP346_SP8K3TB" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202107/20210710113479907990.jpg" _src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202107/20210710113479907990.jpg" />
。MOSFET的特性能够用搬运特性曲线和漏极输出特性曲线来表征。图3是某种场效应管的搬运特性。搬运特性是指在漏源之间的电压UDS在某一固定值时，栅极电压UGS与相对应的漏极电流ID之间的关系曲线。
NCE3020K NCE3025Q NCE3035K NCE3025G NCE3030K 。
N沟道增强型MOS管是把一块低掺杂的P型半导体作为衬底，在衬底上面用分散的方法构成两各重掺杂的N＋区，然后在P型半导体上生成很薄的一层二氧化硅绝缘层，然后在两个重掺杂的N+区上端用光刻的方法刻蚀掉二氧化硅层，暴露N+区，较终在两个N+区的外表以及它们之间的二氧化硅外表用蒸腾或者溅射的方法喷涂一层金属膜，这三块金属膜构成了MOS管的三个电极，分别称为源极(S)、栅极(G)和漏极(D)。
MOS管寄生电容结构如下，其中，多晶硅宽度、沟道与沟槽宽度、G极氧化层厚度、PN结掺杂轮廓等都是影响寄生电容的因素。。
BYP346_SP8K3TB" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202107/20210710113372847284.jpg" _src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202107/20210710113372847284.jpg" />
NCE8205B NCE8205 NCE8205i NCE8205E NCE9926 。
NCE25TD135LP NCE1608N NCE18ND11U NCE3134 NCE20ND07U 。
相关资讯
