NCE0106Z_NCEP065N10D导读
MOS管是一种单极性载流子参与导电的半导体器件。根据导电沟道的载流子能够划分为N沟道和P沟道。假定导电沟道的载流子是电子，则称为N沟道；假定载流子是空穴，则称为P沟道。
电子行业中有许多的知名品牌，每一个品牌就如同人名，其来源与命名都带有各自独特的风格。为公司命名时创始人融入了他们对过去的缅怀、对未来的期望，一个简单的名字，它的背后承载着许多不为人知的故事……。它们有今时今日的成功，创始人功不可没。
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原因是导通电阻小，且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS。
在不见天日的17个月里，Zandman的叔叔教他代数、三角、几何和物理。可以说，在那段较黑暗的日子里Zandman学习掌握的知识为他开创Vishay奠定了基础。战后，Zandman移民到法国，获得机械工程、应用机械和普通物理的学位，在巴黎的Sorbonne大学获得机械物理的博士学位。Zandman于1928年生于波兰，在二战纳粹大屠杀期间，Zandman外婆曾经救助过的老管家收留了Zandman，他和其他四个人在管家家的地板下躲藏了17个月，才得以逃过了大屠杀。1956年，Zandman移居到美国，并在1962年创办了Vishay。。
Felix Zandman在他的回忆录中写道，“很多人认为这个名称听上去很古怪，但是对于我来说，每次听到它，我就会想起我的外婆，想起她赋予我和其他人的力量，想起东欧那些被永远抹去的犹太社区。为什么Felix Zandman将他的公司命名为Vishay？因为他的外婆出生在Vishay，这是一个立陶宛小村庄的名字，以纪念在大屠杀中丧生的家族成员。” 。
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N沟道增强型MOS管是把一块低掺杂的P型半导体作为衬底，在衬底上面用分散的方法构成两各重掺杂的N＋区，然后在P型半导体上生成很薄的一层二氧化硅绝缘层，然后在两个重掺杂的N+区上端用光刻的方法刻蚀掉二氧化硅层，暴露N+区，较终在两个N+区的外表以及它们之间的二氧化硅外表用蒸腾或者溅射的方法喷涂一层金属膜，这三块金属膜构成了MOS管的三个电极，分别称为源极(S)、栅极(G)和漏极(D)。
别的一种技能就是对MOSFET的结构间断改进，选用一种笔直V型槽结构。图3是V型槽MOSFET结构剖面图。为了抑止MOSFET的载流才华太小和导通电阻大的难题，在大功率MOSFET中一般选用两种技能，一种是将数百万个小功率MOSFET单胞并联起来，前进MOSFET的载流才华。
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电动车锂电池能正常工作，很大程度上得益于锂电池保护板。
而在锂电池保护板中重要的就是保护芯片和MOS管。
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