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NCE3407

发布时间:2021/8/4 16:02:00 访问次数:161发布企业:深圳市百域芯科技有限公司

50P06_NCE3407导读

除了上述适用于电动车控制器的NCE80H12以外,南山电子还提供风华阻容感,长晶二三极管MOS管,爱普生有源无源晶振等。

针对这种需求,新洁能生产出内阻小,抗过电流能力好的N沟道沟槽工艺MOS管——NCE80H12,NCE80H12的导通电阻小于6mΩ,输出电流可达120A,电机扭矩较好,。


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NCE60H10

MOS管3306产品特征 1、RDS(on)=7mΩ@VGS=10V 2、无铅绿色设备 3、低电阻开关,减少导电损耗 4、高雪崩电流。

对于这两种增强型MOS管,比较常用的是NMOS。。至于为什么不使用耗尽型的MOS管,不建议刨根问底。

MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在,这不是我们需要的,而是由于制造工艺限制产生的。

电感器符合RoHS和Vishay绿色标准,无卤素。IHLP-7575GZ-51封装采用100%无铅(Pb)屏蔽复合结构,蜂鸣噪声降至超低水平,对热冲击、潮湿和机械振动具有很强的耐受能力,可无饱和处理高瞬变电流尖峰。


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NCEP40T15

NCE4612SP NCE30H32VD NCE3402 NCE3402A NCE30H21 。

。对于Vantam的模拟信号通道(包括低通滤波器[LPF]、负反馈电路[NFB]、前置放大器IC、IV转换器及头戴耳机放大电路)的微调,VentureCraft以前依靠含碳的厚膜片式电阻。过去几年中,由于专注于提供音频性能差异化,该公司转向薄膜技术。去年,当VentureCraft得知Vishay的薄膜MELF电阻(如图1所示)能够提供出色的声音质量后,开始指定使用Vishay产品。

Vishay的MELF电阻生产运用先进的真空溅射工艺,在超高真空室内,在十分光滑的铝衬底上沉积一层具有极高微观结构质量的专有镍铬合金。凭借在相同焊盘尺寸下比扁平片式电阻大3.14倍的表面积,这些器件可产生高很多的纵横比,进而导致沿着电阻的场强非常低。与厚膜电阻相比,通常可提供约-40 dB V/Hz的频谱密度改善,这个数字在薄膜电阻情况下约为-10 dB V/Hz,如图2所示。这种精密内部结构为低噪声性能奠定了理想基础,而电阻的圆柱形状又进一步增强了低噪声性能。这两个因素使Vishay的MELF电阻成为具有低噪声要求的高端音频应用的选择。要知道,局部电场强度是产生电流噪声的主要来源。

MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管型号和增强型的P沟道MOS管型号,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是这两种。

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NCE25TD135LP NCE1608N NCE18ND11U NCE3134 NCE20ND07U 。

锂电池主要由两大块构成,电芯和锂电池保护板PCM。


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