晶体管 TN2501N8-G FET

晶体管 TN2501N8-G FET属性

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晶体管 TN2501N8-G FET描述

TN2501N8-G介绍：
描述 MOSFET N-CH 18V 400MA SOT89-3
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
详细描述 表面贴装 N 沟道 18V 400mA（Tj） 1.6W（Tc） TO-243AA（SOT-89）
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Microchip Technology
系列 -
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 18V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 400mA（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.2V，3V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 2.5 欧姆 @ 200mA，3V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 1mA
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 110pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.6W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 TO-243AA（SOT-89）
封装/外壳 TO-243AA
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判定栅极G:将万用表拨至R×1k档，用万用表的负极任意接一电极，另一只表笔依次去接触其余的两个极，测其电阻.若两次测得的电阻值近似相等，则负表笔所接触的为栅极，另外两电极为漏极和源极.漏极和源极互换。

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