晶体管 DMC4028SSD-13 MOSFET

晶体管 DMC4028SSD-13 MOSFET属性

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晶体管 DMC4028SSD-13 MOSFET描述

DMC4028SSD-13介绍：
描述 MOSFET N/P-CH 40V 8SOIC
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
制造商标准提前期 26 周
详细描述 Mosfet Array N and P-Channel 40V 6.5A, 4.8A 1.8W Surface Mount 8-SO
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
制造商 Diodes Incorporated
系列 -
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
FET 类型 N 和 P 沟道
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压（Vdss） 40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.5A，4.8A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 28 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 12.9nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 604pF @ 20V
功率 - 最大值 1.8W
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装 8-SO
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今日半导体组件的材料通常以硅为首选，但是也有些半导体公司发展出使用其他半导体材料的制程，当中最著名的例如IBM使用硅与锗的混合物所发展的硅锗制程（SiGe process）。

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