晶体管 RJH60D0DPK-00#T0 UGBT

晶体管 RJH60D0DPK-00#T0 UGBT属性

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晶体管 RJH60D0DPK-00#T0 UGBT描述

RJH60D0DPK-00#T0介绍：
描述 IGBT 600V 45A 140W TO3P
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
详细描述 IGBT Trench 600V 45A 140W Through Hole TO-3P
类别 分立半导体产品
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
制造商 Renesas Electronics America
系列 -
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
IGBT 类型 沟道
电压 - 集射极击穿（最大值） 600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值） 45A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 2.2V @ 15V，22A
功率 - 最大值 140W
开关能量 230μJ（开），290μJ（关）
输入类型 标准
栅极电荷 46nC
25°C 时 Td（开/关）值 40ns/80ns
测试条件 300V，22A，5 欧姆，15V
反向恢复时间（trr） 100ns
工作温度 150°C（TJ）
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装 TO-3P
基本零件编号 RJH60D
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按晶体管使用的半导体材料可分为硅材料晶体管和锗材料晶体管。按晶体管的极性可分为锗NPN型晶体管、锗PNP晶体管、硅NPN型晶体管和硅PNP型晶体管。

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