晶体管 TK56A12N1,S4X FET

晶体管 TK56A12N1,S4X FET属性

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晶体管 TK56A12N1,S4X FET描述

TK56A12N1,S4X介绍：
描述 MOSFET N-CH 120V 56A TO-220
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
制造商标准提前期 16 周
详细描述 通孔 N 沟道 120V 56A（Tc） 45W（Tc） TO-220SIS
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
系列 U-MOSVIII-H
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 120V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 56A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 7.5 毫欧 @ 28A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 69nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4200pF @ 60V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 45W（Tc）
工作温度 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220SIS
封装/外壳 TO-220-3 整包
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