晶体管 NTD18N06 MOSFET - 单

晶体管 NTD18N06 MOSFET - 单属性

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晶体管 NTD18N06 MOSFET - 单描述

NTD18N06介绍：
描述 MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
制造商标准提前期 26 周
详细描述 表面贴装 N 沟道 60V 18A（Ta） 2.1W（Ta），55W（Tj） DPAK
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 ON Semiconductor
系列 -
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 65 毫欧 @ 9A，5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 22nC @ 5V
Vgs（最大值） ±15V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 675pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.1W（Ta），55W（Tj）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 DPAK
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
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晶体管(transistor)是一种固体半导体器件，具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。

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