晶体管 IPD65R190C7ATMA1 MOSFET
晶体管 IPD65R190C7ATMA1 MOSFET属性
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晶体管 IPD65R190C7ATMA1 MOSFET描述
IPD65R190C7ATMA1介绍:
描述 MOSFET N-CH 650V 13A TO-252
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 22 周
详细描述 表面贴装 N 沟道 650V 13A(Tc) 72W(Tc) PG-TO252-3
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 Infineon Technologies
系列 CoolMOS™ C7
包装 ? 带卷(TR) ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 650V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 13A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 190 毫欧 @ 5.7A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 290μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 23nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1150pF @ 400V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 72W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PG-TO252-3
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
安富利(深圳)商贸有限公司介绍:
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沟道的极性与其漏极(drain)与源极相同,假设漏极和源极是n型,那么沟道也会是n型。沟道形成后,金氧半场效晶体管即可让电流通过,而依据施于栅极的电压值不同,可由金氧半场效晶体管的沟道流过的电流大小亦会受其控制而改变。
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