PD - 97230A
数字音频MOSFET
IRF6665PbF
IRF6665TRPbF
V
DS
主要参数
100
53
8.7
1.9
V
m:
nC
R
DS （ ON）
（典型值） 。 @ V
GS
= 10V
Q
g
典型值。
R
G（ INT ）
典型值。
特点
最新的MOSFET硅技术
对于D类音频放大器的优化关键参数
应用
低R
DS （ ON）
为提高效率
低Q
g
为更好的THD和提高效率
低Q
rr
更好的总谐波失真和较低的EMI
低封装寄生电感以降低振铃和低
EMI
可以提供高达每信道为100W ，8Ω负载，无散热器
双面冷却兼容
·
兼容现有的表面贴装技术
·
不含铅或溴化物符合RoHS标准
·无铅
（合格高达260 °C回流温度）
SH
MT
MN
的DirectFET ？等距
适用的DirectFET外形及其基材纲要（见第6 ，第7的详细信息）
SQ
SX
ST
SH
MQ
MX
描述
这一数字音频MOSFET是专门为D类音频放大器应用设计的。这种MOSFET利用
最新的加工技术，以实现低导通电阻每硅片面积。此外，栅极电荷，体二极管反向
恢复和内部栅极电阻进行了优化，以提高关键的D类音频放大器的性能因素，如
效率， THD和EMI。
该IRF6665PbF器件采用的DirectFET
TM
封装技术。的DirectFET
TM
封装技术提供较低的寄生
电感和电阻比传统引线接合的SOIC封装。较低的电感改善EMI
通过降低电压振铃伴随快速电流瞬变性能。采用DirectFET
TM
封装兼容
在功率应用中使用的现有布局的几何形状，印刷电路板的组装设备和汽相，红外线或对流
焊接技术中，当应用指南AN- 1035之后是关于制造方法和过程。该
的DirectFET
TM
包还可以双面冷却，最大限度地电力系统的热传递，提高热电阻
tance和功耗。这些特性相结合，使该MOSFET的高效，强大和可靠的设备
D类音频放大器应用。
绝对最大额定值
参数
V
DS
V
GS
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
T
J
T
英镑
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
e
功耗
e
最大功率耗散
马克斯。
100
± 20
19
4.2
3.4
34
42
2.2
1.4
0.017
-40 + 150
单位
V
A
c
W
线性降额因子
工作结
存储温度范围
W / ℃，
°C
热阻
R
θJA
R
θJA
R
θJA
R
θJC
R
θJ -PCB
ek
结到环境
hk
结到环境
ik
结到外壳
jk
结到环境
参数
典型值。
–––
12.5
20
–––
1.4
马克斯。
58
–––
–––
3.0
–––
单位
° C / W
结到PCB安装
笔记
通过
在第2页
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1
08/25/06
IRF6665PbF
100
顶部
VGS
15V
10V
9.0V
8.0V
7.0V
6.0V
100
顶部
VGS
15V
10V
9.0V
8.0V
7.0V
6.0V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
10
底部
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
10
6.0V
底部
6.0V
1
1
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 25°C
0.1
0.1
1
10
100
1000
V DS ，漏极至源极电压（ V）
0.1
0.1
1
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 150℃
10
100
1000
V DS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
100
图2 。
典型的输出特性
2.0
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
（归一化）
ID ，漏 - 源电流
(Α)
ID = 5.0A
VGS = 10V
10
1.5
T J = -40°C
T J = 25°C
1
T J = 150℃
VDS = 25V
≤60s
脉冲宽度
0.1
2
4
6
8
10
12
1.0
0.5
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
T J ，结温（ ° C）
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
图3 。
典型的传输特性
10000
图4 。
归一化的导通电阻与温度的关系
12.0
ID = 5.0A
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
ISS = C GS + C GD ，C DS短路
RSS = C GD
OSS = C DS + C GD
10.0
8.0
6.0
4.0
2.0
0.0
C，电容（pF ）
1000
西塞
科斯
100
CRSS
VDS = 80V
VDS = 50V
VDS = 20V
10
1
10
VDS ，漏极至源极电压（ V）
100
0
2
4
6
8
10
图5 。
典型的电容vs.Drain - to-Source电压
图6 。
典型栅极电荷vs.Gate - to-Source电压
QG总栅极电荷（ NC）
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3
IRF6665PbF
RDS （ ON）时，漏 - 源极到导通电阻（ MΩ）
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
4
6
8
10
12
14
16
18
T J = 25°C
T J = 125°C
ID = 5.0A
RDS （ ON）时，漏 - 源极到导通电阻（ MΩ）
120
100
T J = 125°C
80
60
T J = 25°C
VGS = 10V
40
0
2
4
6
8
10
ID ，漏电流（ A）
VGS ，门-to - 源电压（V ）
图12 。
导通电阻比。栅极电压
图13 。
导通电阻与漏电流
15V
50
EAS ，单脉冲雪崩能量（兆焦耳）
VDS
L
司机
40
ID
顶部
0.86A
1.3A
BOTTOM 5.0A
RG
V
GS
20V
D.U.T
IAS
tp
+
V
- DD
30
A
0.01
20
图15A 。
非钳位感应测试电路
V
（ BR ） DSS
tp
10
0
25
50
75
100
125
150
开始T J ，结温（ ° C）
图14 。
最大雪崩能量与漏电流
I
AS
图15B 。
非钳位感应波形
V
DS
V
GS
R
G
R
D
D.U.T.
+
90%
-
V
DD
V
DS
10%
10V
脉冲宽度
≤ 1
s
占空比
≤ 0.1 %
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
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图16A 。
开关时间测试电路
图16B 。
开关时间波形
5
