IS61WV5128ALL/ALS
IS61WV5128BLL/BLS
IS64WV5128BLL/BLS
512K ×8高速异步的CMOS静态RAM
2009年8月
特点
高速： （ IS61 / 64WV5128ALL / BLL ）
高速存取时间： 8 ， 10 ， 20纳秒
低有功功率： 85毫瓦（典型值）
低待机功率： 7毫瓦（典型值）
CMOS待机
低功耗： （ IS61 / 64WV5128ALS / BLS ）
高速存取时间： 25日， 35纳秒
低有功功率： 35毫瓦（典型值）
低待机功率： 0.6毫瓦（典型值）
CMOS待机
单电源
— V
dd
1.65V至2.2V （ IS61WV5128Axx ）
— V
dd
2.4V至3.6V （ IS61 / 64WV5128Bxx ）
全静态操作：无时钟或刷新
需要
三态输出
工业和汽车温度支持
无铅可
描述
该
ISSI
IS61WV5128Axx和IS61 / 64WV5128Bxx
非常高速，低功耗， 524,288字经
8位CMOS静态RAM 。该IS61WV5128Axx和
IS61 / 64WV5128Bxx使用制造
ISSI
的高
高性能CMOS技术。这种高度可靠的亲
塞斯加上创新的电路设计技术，
产生更高的性能和低功耗
设备。
当
CE
为高（取消） ，该装置假设
备用模式，在该功耗可
与CMOS输入电平降低下来。
该IS61WV5128Axx和IS61 / 64WV5128Bxx操作
从一个单一的电源。
该IS61WV5128ALL和IS61 / 64WV5128BLL都可用
能够在36引脚400密耳SOJ ， 36针微型BGA和44引脚
TSOP （II型）封装。
该IS61WV5128ALS和IS61 / 64WV5128BLS是
在32 pinTSOP （I型） ， 32针sTSOP （I型）可用，
32引脚SOP和32引脚TSOP （ II型）封装。
功能框图
A0-A18
解码器
512K ×8
存储阵列
V
DD
GND
I / O
数据
电路
I/O0-I/O7
列I / O
CE
OE
WE
控制
电路
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通知。 ISSI承担因本文所述的任何信息，产品或服务的应用或使用不承担任何责任。建议客户获得lat-
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08/10/09
1
IS61WV5128ALL / ALS ， IS61WV5128BLL / BLS
IS64WV5128BLL/BLS
引脚配置（ HIGH SPEED ） （ 61 / 64WV5128ALL / BLL ）
36微型BGA
44针TSOP （ II型）
1
2
3
4
5
6
A
B
C
D
E
F
G
H
A0
I/O4
I/O5
GND
V
DD
I/O6
I/O7
A9
A1
A2
NC
WE
NC
A3
A4
A5
A6
A7
A8
I/O0
I/O1
V
DD
GND
A18
OE
A10
CE
A11
A17
A16
A12
A15
A13
I/O2
I/O3
A14
NC
NC
A0
A1
A2
A3
A4
CE
I/O0
I/O1
V
DD
GND
I/O2
I/O3
WE
A5
A6
A7
A8
A9
NC
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
NC
NC
NC
A18
A17
A16
A15
OE
I/O7
I/O6
GND
V
DD
I/O5
I/O4
A14
A13
A12
A11
A10
NC
NC
NC
引脚说明
A0-A18
CE
OE
WE
I/O0-I/O7
V
dd
GND
NC
地址输入
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
双向端口
动力
地
无连接
36引脚SOJ
A0
A1
A2
A3
A4
CE
I/O0
I/O1
V
DD
GND
I/O2
I/O3
WE
A5
A6
A7
A8
A9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
NC
A18
A17
A16
A15
OE
I/O7
I/O6
GND
V
DD
I/O5
I/O4
A14
A13
A12
A11
A10
NC
2
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IS61WV5128ALL / ALS ， IS61WV5128BLL / BLS
IS64WV5128BLL/BLS
引脚配置（低功率） （ 61 / 64WV5128ALS / BLS ）
32针TSOP （I型） ， （封装代码T）
32针sTSOP （I型） （封装代码H ）
32引脚SOP
32针TSOP （II型）
（封装代码T2）
A11
A9
A8
A13
WE
A18
A15
V
DD
A17
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
GND
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
A3
A17
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
DD
A15
A18
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
引脚说明
A0-A18
CE
OE
WE
I/O0-I/O7
V
dd
GND
地址输入
芯片使能输入1
输出使能输入
写使能输入
输入/输出
动力
地
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3
IS61WV5128ALL / ALS ， IS61WV5128BLL / BLS
IS64WV5128BLL/BLS
DC电气特性
（以上经营范围）
V
DD
= 3.3V + 5%
符号
V
oh
V
ol
V
Ih
V
Il
I
lI
I
lo
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
(1)
输入漏
输出漏
测试条件
V
dd
=
分，
I
oh
=
-4.0毫安
V
dd
=
分，
I
ol
=
8.0毫安
分钟。
2.4
—
2
–0.3
–1
–1
马克斯。
—
0.4
V
dd
+ 0.3
0.8
1
1
单位
V
V
V
V
A
A
GND
≤
V
In
≤
V
dd
GND
≤
V
OUT
≤
V
dd
,
输出禁用
注意：
1.
V
Il
（分钟） = -0.3V
DC ; V
Il
（分） = -2.0V交流电压（脉冲宽度<10纳秒） 。未经100％测试。
V
Ih
（最大值） - V
dd
+
0.3V直流电; V
Ih
（最大值） - V
dd
+
2.0V AC
（脉冲宽度<10纳秒） 。未经100％测试。
DC电气特性
（以上经营范围）
V
DD
= 2.4V-3.6V
符号
V
oh
V
ol
V
Ih
V
Il
I
lI
I
lo
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
(1)
输入漏
输出漏
测试条件
V
dd
=
分，
I
oh
=
= 1.0毫安
V
dd
=
分，
I
ol
=
1.0毫安
分钟。
1.8
—
2.0
–0.3
–1
–1
马克斯。
—
0.4
V
dd
+ 0.3
0.8
1
1
单位
V
V
V
V
A
A
GND
≤
V
In
≤
V
dd
GND
≤
V
OUT
≤
V
dd
,
输出禁用
注意：
1.
V
Il
（分钟） = -0.3V
DC ; V
Il
（分） = -2.0V交流电压（脉冲宽度<10纳秒） 。未经100％测试。
V
Ih
（最大值） - V
dd
+
0.3V直流电; V
Ih
（最大值） - V
dd
+
2.0V AC
（脉冲宽度<10纳秒） 。未经100％测试。
DC电气特性
（以上经营范围）
V
DD
= 1.65V-2.2V
符号
V
oh
V
ol
V
Ih
V
Il
(1)
I
lI
I
lo
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏
输出漏
测试条件
V
dd
=最小，我
oh
=
-0.1毫安
V
dd
=最小，我
ol
=
0.1毫安
分钟。
1.4
—
1.4
–0.2
–1
–1
马克斯。
—
0.2
V
dd
+ 0.2
0.4
1
1
单位
V
V
V
V
A
A
GND
≤
V
In
≤
V
dd
GND
≤
V
OUT
≤
V
dd
,
输出禁用
注意：
1.
V
Il
（分钟） = -0.3V
DC ; V
Il
（分） = -2.0V交流电压（脉冲宽度<10纳秒） 。未经100％测试。
V
Ih
（最大值） - V
dd
+
0.3V直流电; V
Ih
（最大值） - V
dd
+
2.0V AC
（脉冲宽度<10纳秒） 。未经100％测试。
4
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IS61WV5128ALL / ALS ， IS61WV5128BLL / BLS
IS64WV5128BLL/BLS
真值表
模式
WE
未选择
X
（掉电）
输出禁用
读
写
H
L
CE
H
L
L
L
OE
X
H
L
X
I / O操作V
DD
当前
高-Z
I
sb
1
, I
sb
2
高-Z
d
OUT
d
In
I
CC
I
CC
I
CC
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
V
dd
t
英镑
P
t
参数
相对于GND端子电压
V
dd
涉及到GND
储存温度
功耗
价值
-0.5到V
dd
+ 0.5
-0.3 4.0
-65到+150
1.0
单位
V
V
°C
W
注意事项：
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致永久性的损坏
该设备。这是一个额定值，设备的功能操作在这些或任何其他条件
超出本规范的业务部门所标明的是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
电容
(1,2)
符号
C
In
C
I / O
参数
输入电容
输入/输出电容
条件
V
In
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
注意事项：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
2.测试条件：T已
A
= 25°C,
F = 1MHz时， V
dd
= 3.3V.
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