64K ×32
3.3V同步SRAM
流水线输出
突发计数器，单周期取消
特点
x
x
IDT71V632
x
x
x
x
x
x
64K ×32的内存配置
支持高系统速度：
商业：
- A4 4.5ns时钟存取时间（ 117兆赫）
商业和工业：
- 5 5ns的时钟存取时间（ 100兆赫）
- 6 6ns的时钟存取时间（ 83兆赫）
- 7 7ns的时钟存取时间（ 66兆赫）
单周期取消功能（兼容
美光零件编号MT58LC64K32D7LG -XX ）
LBO
输入选择交错或线性突发模式
自定时写周期与全球的写控制（ GW ） ，字节
写使能（ BWE ）和字节写操作（ BWX ）
功率下降ZZ输入控制
工作于3.3V单电源（ + 10 / -5 ％ ）
包装在JEDEC标准的100针脚的矩形塑料
薄型四方扁平封装（ TQFP ） 。
描述
该IDT71V632是组织为64K ×32的3.3V的高速SRAM
全面支持奔腾和PowerPC 处理器接口。
流水线突发架构提供了具有成本效益的3-1-1-1二线
元高速缓存性能的处理器高达117MHz 。
该IDT71V632 SRAM包含写入，数据，地址和控制
寄存器。内部逻辑使得SRAM生成自定时写
基于其可以留直到写的末端的决定
周期。
突发模式功能，提供最高性能水平的
系统设计人员，作为IDT71V632可以提供4个周期的数据为
一个单一地址提供给SRAM中。内部突发地址计数器
接受来自处理器的第一个周期的地址，发起接入
序列。输出数据的第一个周期将之前执行流水线一个周期
它可在下一时钟上升沿。如果突发模式操作
选（ADV =低） ，输出数据的随后三个周期将
可在接下来的三个时钟上升沿用户。这些订单
三个地址由内部突发计数器和定义
LBO
输入引脚。
该IDT71V632 SRAM采用IDT的高性能，高容量
3.3V CMOS工艺制造，并封装在一个JEDEC标准14毫米X
20毫米100引脚薄型塑料四方扁平封装（ TQFP ） ，以获得最佳电路板密度
在台式机和笔记本电脑的应用程序。
引脚说明摘要
A
0
–A
15
CE
CS
0
,
CS
1
OE
GW
BWE
BW
1,
BW
2,
BW
3,
BW
4
CLK
ADV
ADSC
ADSP
LBO
ZZ
I / O
0
-I / O
31
V
DD
, V
DDQ
V
SS
, V
SSQ
地址输入
芯片使能
芯片选择
OUTPUT ENABLE
全局写使能
字节写使能
单个字节写入选择
时钟
突发地址进展
地址状态（高速缓存控制器）
地址状态（处理器）
线性/交错突发订单
睡眠模式
数据输入/输出
3.3V
阵列接地， I / O接地
输入
输入
输入
输入
输入
输入
输入
输入
输入
输入
输入
输入
输入
I / O
动力
动力
同步
同步
同步
异步
同步
同步
同步
不适用
同步
同步
同步
DC
异步
同步
不适用
不适用
3619 TBL 01
奔腾处理器是英特尔公司的商标。
PowerPC是国际商用机器公司的商标。
2001年8月
1
DSC-3619/04
2000集成设备技术有限公司
IDT71V632 ， 64K ×32 ， 3.3V同步SRAM
与流水线输出和单周期取消
商用和工业温度范围
引脚德网络nitions
(1)
符号
A
0
–A
15
ADSC
引脚功能
地址输入
地址状态
（高速缓存控制器）
I / O
I
I
活跃
不适用
低
描述
同步地址输入。地址重新gister通过组合触发
CLK的上升沿和
ADSC
或低
ADSP
低，
CE
低。
从缓存Controller.ADSC同步地址状态为低电平
输入端，用于加载该加载RESS注册到新的地址。
ADSC
is
通过NOT门控
CE 。
Synchrono我们从处理器的地址状态。
ADSP
是低电平有效的输入
用于加载的地址寄存器以新的地址。
ADSP
通过门控
CE 。
同步地址进展。
ADV
是用于将低电平输入
推进内部突发计数器，控制后的初始突发访问
地址被加载。当此输入为高电平突发计数器不递增;
即，不存在地址前进。
同步字节写使能门的字节写入输入
BW
1
-BW
4
。如果
BWE
is
低在CLK的上升沿，则
BW
X
输入被传递到下一个阶段
的电路。字节写操作仍然可以阻止的话
ADSP
为低电平时的上升沿
CLK 。如果
ADSP
为HIGH和
BW
X
为低电平，在CLK的上升沿则数据将
被写入到SRAM中。如果
BWE
为高，字节写输入被封锁
只有
GW
可以启动一个写周期。
同步字节写使能。
BW
1
控制I / O （ 7 ： 0 ）
BW
2
控制I / O （ 15 ： 8 ）
等任何活动的字节写操作会导致禁用所有输出。
ADSP
低
禁用所有字节写入。
BW
1
-BW
4
必须满足规定的建立和保持时间
相对于CLK的。
同步芯片使能。
CE
采用与CS
0
和
CS
1
使
IDT71V632.
CE
同时门
ADSP 。
这是时钟输入。该设备的所有定时基准是相对于
到该输入端。
同步高电平有效的片选。 CS
0
用于与
CE
和
CS
1
启用
该芯片。
同步低电平有效的片选。
CS
1
用于与
CE
和CS
0
启用
该芯片。
Synchrono我们全球的写使能。该输入将写入所有4个8位字节数据
当低电平CLK的上升沿。
GW
将取代单个字节写入
启用。
同步数据输入/输出（ I / O）引脚。两个数据输入路径和输出的数据
路径被登记并通过CLK的上升沿触发。
异步一阵为了塞莱ction DC输入。当
LBO
为高的交错
（英特尔）突发序列被选中。当
LBO
为低线性（ PowerPC）下一阵
顺序被选择。
LBO
是一个静态直流输入，并且不能更改状态，而
设备运行。
异步输出使能。当
OE
为低电平时，数据输出驱动器
在I / O引脚，如果启用该芯片也被选中。当
OE
是高的I / O
引脚处于高阻抗状态。
3.3V内核电源输入。
3.3V的I / O电源输入。
核心接地引脚。
I / O接地引脚。
NC引脚没有电气连接到芯片上。
异步睡眠模式的输入。 ZZ HIGH将门CLK内部和电源
下IDT71V632其功耗最低水平。数据保存
保证在睡眠模式。
3619 TBL 02
ADSP
地址状态
（处理器）
突发地址进展
I
低
ADV
I
低
BWE
字节写使能
I
低
BW
1
-BW
4
单个字节
写入启用
I
低
CE
CLK
CS
0
CS
1
芯片使能
时钟
片选0
片选1
I
I
I
I
低
不适用
高
低
GW
全局写使能
I
低
I / O
0
-I / O
31
LBO
数据输入/输出
线性突发顺序
I / O
I
不适用
低
OE
OUTPUT ENABLE
I
低
V
DD
V
DDQ
V
SS
V
SSQ
NC
ZZ
电源
电源
地
地
无连接
睡眠模式
不适用
不适用
不适用
不适用
不适用
I
不适用
不适用
不适用
不适用
不适用
高
注意：
1.所有的同步输入必须符合规定的建立和保持时间相对于CLK 。
6.42
2
IDT71V632 ， 64K ×32 ， 3.3V同步SRAM
与流水线输出和单周期取消
商用和工业温度范围
功能框图
LBO
ADV
CE
BURST
顺序
国内
地址
CLK
ADSC
ADSP
CLK EN
地址
注册
1个字节
写注册
二进制
计数器
CLR
2
BURST
逻辑
16
A
0
*
A
1
*
Q0
Q1
64K ×32
位
内存
ARRAY
.
32
2
16
A
0
–A
15
GW
BWE
BW
1
A
0
, A
1
A
2
–A
15
32
1个字节
写入驱动器
2字节
写注册
8
2字节
写入驱动器
BW
2
BYTE 3
写注册
8
BYTE 3
写入驱动器
BW
3
4个字节
写注册
8
4个字节
写入驱动器
BW
4
8
产量
注册
CE
CS0
CS
1
D
Q
启用
注册
CLK EN
数据输入
注册
ZZ
断电
D
Q
启用
延迟
注册
OE
产量
卜FF器
OE
32
I / O
0
-I / O
31
3619 DRW 01
6.42
3
IDT71V632 ， 64K ×32 ， 3.3V同步SRAM
与流水线输出和单周期取消
商用和工业温度范围
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
(2)
V
TERM
(3)
T
A
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
等级
与端电压
对于GND
与端电压
对于GND
工作温度
在偏置温度
储存温度
功耗
直流输出电流
价值
-0.5到+4.6
-0.5到V
DD
+0.5
0至+70
-55到+125
-55到+125
1.0
50
单位
V
V
o
o
o
推荐工作
温度和电源电压
GRADE
广告
产业
温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
SS
0V
0V
V
DD
V
DDQ
3.3V+10/-5% 3.3V+10/-5%
3.3V+10/-5% 3.3V+10/-5%
3619 TBL 03
C
C
C
W
mA
3619 TBL 05
建议的直流工作
条件
SYM BOL
V
DD
V
DDQ
V
SS,
V
SSQ
V
IH
V
IH
V
IL
PARAM ETER
合作重新s提高P LY武LTAG ê
I / O s提高P LY武LTAG ê
摹RO UND
INP UT几点措施武LTAG é - INP UTS
INP UT几点措施武LTAG - I / O
INP UT斯达康罗瓦特武LTAG ê
M英寸
3.135
3.135
0
2.0
2.0
–0.3
(3)
M AX 。
3.63
3.63
0
5.0
(1)
V
DDQ
+ 0.3
(2)
0.8
单位
V
V
V
V
V
V
3619 TBL 04
注意事项：
1.强调超过绝对最大额定值可能
对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以上的任何其他条件的操作说明
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
2. V
DD
, V
DDQ
输入端而已。
3. I / O端子。
电容
符号
C
IN
C
I / O
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的， TQFP封装）
参数
(1)
输入电容
I / O容量
条件
V
IN
= 3DV
V
OUT
= 3DV
马克斯。
6
7
单位
pF
pF
3619 TBL 06
注意事项：
1. V
IH
（最大值） = 6.0V为脉冲宽度小于吨
CYC
/ 2 ，每秒一次循环。
2. V
IH
（MAX） = V
DDQ
+ 1.0V为脉冲宽度小于吨
CYC
/ 2 ，每秒一次循环。
3. V
IL
（分钟） = -1.0V为脉冲宽度小于吨
CYC
/ 2 ，每秒一次循环。
注意：
1.该参数由器件特性保证，但不生产
测试。
6.42
4
IDT71V632 ， 64K ×32 ， 3.3V同步SRAM
与流水线输出和单周期取消
商用和工业温度范围
引脚配置
A
6
A
7
CE
CS
0
BW
4
BW
3
BW
2
BW
1
CS
1
V
DD
V
SS
CLK
GW
BWE
OE
ADSC
ADSP
ADV
A
8
A
9
100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81
NC
I / O
16
I / O
17
V
DDQ
V
SSQ
I / O
18
I / O
19
I / O
20
I / O
21
V
SSQ
V
DDQ
I / O
22
I / O
23
V
DD
/ NC
(1)
V
DD
NC
V
SS
I / O
24
I / O
25
V
DDQ
V
SSQ
I / O
26
I / O
27
I / O
28
I / O
29
V
SSQ
V
DDQ
I / O
30
I / O
31
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
PK100-1
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
NC
I / O
15
I / O
14
V
DDQ
V
SSQ
I / O
13
I / O
12
I / O
11
I / O
10
V
SSQ
V
DDQ
I / O
9
I / O
8
V
SS
NC
V
DD
ZZ
(2)
I / O
7
I / O
6
V
DDQ
V
SSQ
I / O
5
I / O
4
I / O
3
I / O
2
V
SSQ
V
DDQ
I / O
1
I / O
0
NC
LBO
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
NC
NC
V
SS
V
DD
NC
NC
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
NC
3619 DRW 02
顶视图TQFP
注意事项：
1.引脚14可以直接连接到V
DD
或者没有连接。
2.引脚64可以悬空，器件将永远留在主动模式。
6.42
5
64K ×32
3.3V同步SRAM
流水线输出
突发计数器，单周期取消
特点
x
x
IDT71V632
x
x
x
x
x
x
64K ×32的内存配置
支持高系统速度：
商业：
- A4 4.5ns时钟存取时间（ 117兆赫）
商业和工业：
- 5 5ns的时钟存取时间（ 100兆赫）
- 6 6ns的时钟存取时间（ 83兆赫）
- 7 7ns的时钟存取时间（ 66兆赫）
单周期取消功能（兼容
美光零件编号MT58LC64K32D7LG -XX ）
LBO
输入选择交错或线性突发模式
自定时写周期与全球的写控制（ GW ） ，字节
写使能（ BWE ）和字节写操作（ BWX ）
功率下降ZZ输入控制
工作于3.3V单电源（ + 10 / -5 ％ ）
包装在JEDEC标准的100针脚的矩形塑料
薄型四方扁平封装（ TQFP ） 。
描述
该IDT71V632是组织为64K ×32的3.3V的高速SRAM
全面支持奔腾和PowerPC 处理器接口。
流水线突发架构提供了具有成本效益的3-1-1-1二线
元高速缓存性能的处理器高达117MHz 。
该IDT71V632 SRAM包含写入，数据，地址和控制
寄存器。内部逻辑使得SRAM生成自定时写
基于其可以留直到写的末端的决定
周期。
突发模式功能，提供最高性能水平的
系统设计人员，作为IDT71V632可以提供4个周期的数据为
一个单一地址提供给SRAM中。内部突发地址计数器
接受来自处理器的第一个周期的地址，发起接入
序列。输出数据的第一个周期将之前执行流水线一个周期
它可在下一时钟上升沿。如果突发模式操作
选（ADV =低） ，输出数据的随后三个周期将
可在接下来的三个时钟上升沿用户。这些订单
三个地址由内部突发计数器和定义
LBO
输入引脚。
该IDT71V632 SRAM采用IDT的高性能，高容量
3.3V CMOS工艺制造，并封装在一个JEDEC标准14毫米X
20毫米100引脚薄型塑料四方扁平封装（ TQFP ） ，以获得最佳电路板密度
在台式机和笔记本电脑的应用程序。
引脚说明摘要
A
0
–A
15
CE
CS
0
,
CS
1
OE
GW
BWE
BW
1,
BW
2,
BW
3,
BW
4
CLK
ADV
ADSC
ADSP
LBO
ZZ
I / O
0
-I / O
31
V
DD
, V
DDQ
V
SS
, V
SSQ
地址输入
芯片使能
芯片选择
OUTPUT ENABLE
全局写使能
字节写使能
单个字节写入选择
时钟
突发地址进展
地址状态（高速缓存控制器）
地址状态（处理器）
线性/交错突发订单
睡眠模式
数据输入/输出
3.3V
阵列接地， I / O接地
输入
输入
输入
输入
输入
输入
输入
输入
输入
输入
输入
输入
输入
I / O
动力
动力
同步
同步
同步
异步
同步
同步
同步
不适用
同步
同步
同步
DC
异步
同步
不适用
不适用
3619 TBL 01
奔腾处理器是英特尔公司的商标。
PowerPC是国际商用机器公司的商标。
2001年8月
1
DSC-3619/04
2000集成设备技术有限公司
IDT71V632 ， 64K ×32 ， 3.3V同步SRAM
与流水线输出和单周期取消
商用和工业温度范围
引脚德网络nitions
(1)
符号
A
0
–A
15
ADSC
引脚功能
地址输入
地址状态
（高速缓存控制器）
I / O
I
I
活跃
不适用
低
描述
同步地址输入。地址重新gister通过组合触发
CLK的上升沿和
ADSC
或低
ADSP
低，
CE
低。
从缓存Controller.ADSC同步地址状态为低电平
输入端，用于加载该加载RESS注册到新的地址。
ADSC
is
通过NOT门控
CE 。
Synchrono我们从处理器的地址状态。
ADSP
是低电平有效的输入
用于加载的地址寄存器以新的地址。
ADSP
通过门控
CE 。
同步地址进展。
ADV
是用于将低电平输入
推进内部突发计数器，控制后的初始突发访问
地址被加载。当此输入为高电平突发计数器不递增;
即，不存在地址前进。
同步字节写使能门的字节写入输入
BW
1
-BW
4
。如果
BWE
is
低在CLK的上升沿，则
BW
X
输入被传递到下一个阶段
的电路。字节写操作仍然可以阻止的话
ADSP
为低电平时的上升沿
CLK 。如果
ADSP
为HIGH和
BW
X
为低电平，在CLK的上升沿则数据将
被写入到SRAM中。如果
BWE
为高，字节写输入被封锁
只有
GW
可以启动一个写周期。
同步字节写使能。
BW
1
控制I / O （ 7 ： 0 ）
BW
2
控制I / O （ 15 ： 8 ）
等任何活动的字节写操作会导致禁用所有输出。
ADSP
低
禁用所有字节写入。
BW
1
-BW
4
必须满足规定的建立和保持时间
相对于CLK的。
同步芯片使能。
CE
采用与CS
0
和
CS
1
使
IDT71V632.
CE
同时门
ADSP 。
这是时钟输入。该设备的所有定时基准是相对于
到该输入端。
同步高电平有效的片选。 CS
0
用于与
CE
和
CS
1
启用
该芯片。
同步低电平有效的片选。
CS
1
用于与
CE
和CS
0
启用
该芯片。
Synchrono我们全球的写使能。该输入将写入所有4个8位字节数据
当低电平CLK的上升沿。
GW
将取代单个字节写入
启用。
同步数据输入/输出（ I / O）引脚。两个数据输入路径和输出的数据
路径被登记并通过CLK的上升沿触发。
异步一阵为了塞莱ction DC输入。当
LBO
为高的交错
（英特尔）突发序列被选中。当
LBO
为低线性（ PowerPC）下一阵
顺序被选择。
LBO
是一个静态直流输入，并且不能更改状态，而
设备运行。
异步输出使能。当
OE
为低电平时，数据输出驱动器
在I / O引脚，如果启用该芯片也被选中。当
OE
是高的I / O
引脚处于高阻抗状态。
3.3V内核电源输入。
3.3V的I / O电源输入。
核心接地引脚。
I / O接地引脚。
NC引脚没有电气连接到芯片上。
异步睡眠模式的输入。 ZZ HIGH将门CLK内部和电源
下IDT71V632其功耗最低水平。数据保存
保证在睡眠模式。
3619 TBL 02
ADSP
地址状态
（处理器）
突发地址进展
I
低
ADV
I
低
BWE
字节写使能
I
低
BW
1
-BW
4
单个字节
写入启用
I
低
CE
CLK
CS
0
CS
1
芯片使能
时钟
片选0
片选1
I
I
I
I
低
不适用
高
低
GW
全局写使能
I
低
I / O
0
-I / O
31
LBO
数据输入/输出
线性突发顺序
I / O
I
不适用
低
OE
OUTPUT ENABLE
I
低
V
DD
V
DDQ
V
SS
V
SSQ
NC
ZZ
电源
电源
地
地
无连接
睡眠模式
不适用
不适用
不适用
不适用
不适用
I
不适用
不适用
不适用
不适用
不适用
高
注意：
1.所有的同步输入必须符合规定的建立和保持时间相对于CLK 。
6.42
2
IDT71V632 ， 64K ×32 ， 3.3V同步SRAM
与流水线输出和单周期取消
商用和工业温度范围
功能框图
LBO
ADV
CE
BURST
顺序
国内
地址
CLK
ADSC
ADSP
CLK EN
地址
注册
1个字节
写注册
二进制
计数器
CLR
2
BURST
逻辑
16
A
0
*
A
1
*
Q0
Q1
64K ×32
位
内存
ARRAY
.
32
2
16
A
0
–A
15
GW
BWE
BW
1
A
0
, A
1
A
2
–A
15
32
1个字节
写入驱动器
2字节
写注册
8
2字节
写入驱动器
BW
2
BYTE 3
写注册
8
BYTE 3
写入驱动器
BW
3
4个字节
写注册
8
4个字节
写入驱动器
BW
4
8
产量
注册
CE
CS0
CS
1
D
Q
启用
注册
CLK EN
数据输入
注册
ZZ
断电
D
Q
启用
延迟
注册
OE
产量
卜FF器
OE
32
I / O
0
-I / O
31
3619 DRW 01
6.42
3
IDT71V632 ， 64K ×32 ， 3.3V同步SRAM
与流水线输出和单周期取消
商用和工业温度范围
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
(2)
V
TERM
(3)
T
A
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
等级
与端电压
对于GND
与端电压
对于GND
工作温度
在偏置温度
储存温度
功耗
直流输出电流
价值
-0.5到+4.6
-0.5到V
DD
+0.5
0至+70
-55到+125
-55到+125
1.0
50
单位
V
V
o
o
o
推荐工作
温度和电源电压
GRADE
广告
产业
温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
V
SS
0V
0V
V
DD
V
DDQ
3.3V+10/-5% 3.3V+10/-5%
3.3V+10/-5% 3.3V+10/-5%
3619 TBL 03
C
C
C
W
mA
3619 TBL 05
建议的直流工作
条件
SYM BOL
V
DD
V
DDQ
V
SS,
V
SSQ
V
IH
V
IH
V
IL
PARAM ETER
合作重新s提高P LY武LTAG ê
I / O s提高P LY武LTAG ê
摹RO UND
INP UT几点措施武LTAG é - INP UTS
INP UT几点措施武LTAG - I / O
INP UT斯达康罗瓦特武LTAG ê
M英寸
3.135
3.135
0
2.0
2.0
–0.3
(3)
M AX 。
3.63
3.63
0
5.0
(1)
V
DDQ
+ 0.3
(2)
0.8
单位
V
V
V
V
V
V
3619 TBL 04
注意事项：
1.强调超过绝对最大额定值可能
对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以上的任何其他条件的操作说明
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
2. V
DD
, V
DDQ
输入端而已。
3. I / O端子。
电容
符号
C
IN
C
I / O
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的， TQFP封装）
参数
(1)
输入电容
I / O容量
条件
V
IN
= 3DV
V
OUT
= 3DV
马克斯。
6
7
单位
pF
pF
3619 TBL 06
注意事项：
1. V
IH
（最大值） = 6.0V为脉冲宽度小于吨
CYC
/ 2 ，每秒一次循环。
2. V
IH
（MAX） = V
DDQ
+ 1.0V为脉冲宽度小于吨
CYC
/ 2 ，每秒一次循环。
3. V
IL
（分钟） = -1.0V为脉冲宽度小于吨
CYC
/ 2 ，每秒一次循环。
注意：
1.该参数由器件特性保证，但不生产
测试。
6.42
4
IDT71V632 ， 64K ×32 ， 3.3V同步SRAM
与流水线输出和单周期取消
商用和工业温度范围
引脚配置
A
6
A
7
CE
CS
0
BW
4
BW
3
BW
2
BW
1
CS
1
V
DD
V
SS
CLK
GW
BWE
OE
ADSC
ADSP
ADV
A
8
A
9
100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81
NC
I / O
16
I / O
17
V
DDQ
V
SSQ
I / O
18
I / O
19
I / O
20
I / O
21
V
SSQ
V
DDQ
I / O
22
I / O
23
V
DD
/ NC
(1)
V
DD
NC
V
SS
I / O
24
I / O
25
V
DDQ
V
SSQ
I / O
26
I / O
27
I / O
28
I / O
29
V
SSQ
V
DDQ
I / O
30
I / O
31
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
PK100-1
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
NC
I / O
15
I / O
14
V
DDQ
V
SSQ
I / O
13
I / O
12
I / O
11
I / O
10
V
SSQ
V
DDQ
I / O
9
I / O
8
V
SS
NC
V
DD
ZZ
(2)
I / O
7
I / O
6
V
DDQ
V
SSQ
I / O
5
I / O
4
I / O
3
I / O
2
V
SSQ
V
DDQ
I / O
1
I / O
0
NC
LBO
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
NC
NC
V
SS
V
DD
NC
NC
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
NC
3619 DRW 02
顶视图TQFP
注意事项：
1.引脚14可以直接连接到V
DD
或者没有连接。
2.引脚64可以悬空，器件将永远留在主动模式。
6.42
5
