PD - 94239E
抗辐射
功率MOSFET
表面贴装（ LCC- 18 ）
产品概述
产品型号辐射二级R
DS （ ON）
IRHE57034
100K拉德（SI ）
0.08
IRHE53034
300K拉德（SI ）
0.08
IRHE54034
IRHE58034
500K拉德（SI ）
1000K拉德（SI ）
0.08
0.1
I
D
11.7A
11.7A
11.7A
11.7A
IRHE57034
JANSR2N7495U5
60V的N通道
REF ： MIL -PRF-七百分之一万九千五百
5
技术
QPL型号
JANSR2N7495U5
JANSF2N7495U5
JANSG2N7495U5
JANSH2N7495U5
LCC-18
国际整流器公司R5
TM
技术提供
高性能功率MOSFET，用于空间
应用程序。这些装置已被表征
单粒子效应（ SEE ）与有用的性能
高达80 （兆电子伏/ （毫克/平方厘米的LET
2
））。组合
低
RDS （ ON）
和低门电荷降低
功率损耗在开关应用中，如DC
至DC转换器和电动机控制。这些设备
保留所有已确立的优势
MOSFET的诸如电压控制，快速开关，
方便的并联和温度稳定性
电气参数。
产品特点：
n
n
n
n
n
n
n
n
n
硬化单粒子效应（ SEE ）
超低低R
DS （ ON）
低总栅极电荷
简单的驱动要求
易于并联的
密封式
表面贴装
陶瓷封装
重量轻
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = 12V ， TC = 25°C
ID @ VGS = 12V ， TC = 100℃
IDM
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
dv / dt的
TJ
T英镑
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
Pckg 。安装面温度。
重量
对于脚注参考最后一页
11.7
7.4
46.8
25
0.2
±20
87
11.7
2.5
3.4
-55到150
300 （ 5秒）
0.42 （典型值）
预辐照
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
o
C
g
www.irf.com
1
04/27/06
IRHE57034 ， JANSR2N7495U5
预辐照
电气特性
@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）
参数
BVDSS
漏极至源极击穿电压
ΔBV
细数DSS / ΔT 温度系数
电压
RDS （ ON）
静态漏 - 源极导通状态
阻力
VGS （ TH）
栅极阈值电压
克FS
正向跨导
IDSS
零栅极电压漏极电流
民
60
—
—
2.0
7.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值最大值单位
—
0.058
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
6.1
—
—
0.08
4.0
—
10
25
100
-100
45
15
20
25
100
35
30
—
V
V /°C的
V
S( )
A
测试条件
VGS = 0V ，ID = 1.0毫安
参考至25℃ ， n = 1.0毫安
V GS = 12V ，ID = 7.4A
IGSS
IGSS
Qg
Q GS
Q GD
td
（上）
tr
td
（关闭）
tf
LS + LD
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总电感
nA
nC
VDS = VGS ，ID = 1.0毫安
VDS > 15V ， IDS = 7.4A
VDS = 48V ， VGS = 0V
VDS = 48V ，
VGS = 0V ， TJ = 125°C
VGS = 20V
VGS = -20V
VGS = 12V ，ID = 11.7A
VDS = 30V
VDD = 30V ， ID = 11.7A ，
VGS = 12V时， RG = 7.5Ω
ns
nH
从中心测量
漏极焊盘源垫的中心
VGS = 0V ， VDS = 25V
F = 1.0MHz的
西塞
OSS
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
—
—
—
1250
520
16
—
—
—
pF
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
IS
ISM
VSD
TRR
Q RR
吨
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
最小典型最大单位
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
11.7
46.8
1.8
125
420
测试条件
A
V
ns
nC
T
j
= 25°C ， IS = 11.7A ， VGS = 0V
TJ = 25 ° C， IF = 11.7A ， di / dt的
≤100A/s
VDD
≤
25V
固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。
热阻
参数
RthJC
RthJ -PCB
RthJA
结到外壳
结至PC板
结到环境
最小典型最大单位
—
—
—
—
19
75
5.0
—
—
° C / W
测试条件
焊接到铜包覆印刷电路板
注：对应的香料和军刀车型可在国际整流器公司的网站。
对于脚注参考最后一页
2
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辐射特性
预辐照
IRHE57034 ， JANSR2N7495U5
国际整流器抗辐射的MOSFET进行测试，以验证其抗辐射能力。
在国际整流器硬度保证计划包括两个辐射环境中。
每一个生产批次的总电离剂量测试（每个音符5和6）采用TO- 3封装。两
前和辐照后的性能进行了测试和指定的使用相同的驱动器电路和测试
为了条件下提供直接的比较。
表1.电气特性@ TJ = 25 ° C，邮政总剂量辐射
参数
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
V
SD
漏极至源极击穿电压
栅极阈值电压
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
零栅极电压漏极电流
静态漏 - 源
通态电阻（ TO- 3 ）
静态漏 - 源
通态电阻（ LCC- 18 ）
二极管的正向电压
高达500K拉德（SI ）
1
1000K拉德（SI ）
2
单位
民
最大
民
最大
60
2.0
—
—
—
—
—
—
—
4.0
100
-100
10
0.034
0.08
1.8
60
1.5
—
—
—
—
—
—
—
4.0
100
-100
25
0.043
0.1
1.8
V
nA
A
V
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 1.0毫安
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1.0毫安
V
GS
= 20V
V
GS
= -20 V
V
DS
= 48V, V
GS
=0V
V
GS
= 12V，我
D
=7.4A
V
GS
= 12V，我
D
=7.4A
V
GS
= 0V ， IS = 11.7A
1.部件号IRHE57064 （ JANSR2N7495U5 ） ， IRHE53064 （ JANSF2N7495U5 ）和IRHE54064 （ JANSH2N7495U5 ）
2.产品编号IRHE58064 （ JANSH2N7495U5 ）
国际整流器抗辐射的MOSFET已被鉴定为重离子环境
单粒子效应（ SEE ） 。单粒子效应特性示于图。一及表二。
表2.单粒子效应安全工作区
离子
Br
Xe
Au
LET
（兆电子伏/ （毫克/平方厘米
2
))
37.3
63
86.6
能源
（兆电子伏）
285
300
2068
V
DS
(V)
范围
(m)
@V
GS
=0V @V
GS
= -5V @V
GS
= -10V @V
GS
=-15V @V
GS
=-20V
36.8
60
60
60
60
40
29
46
46
35
25
15
106
35
35
27
20
14
70
60
50
40
30
20
10
0
0
-5
-10
VGS
-15
-20
VDS
Br
Xe
Au
所示的。
单粒子效应，安全工作区
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3
IRHE57034 ， JANSR2N7495U5
预辐照
100
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
10
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
VGS
15V
12V
10V
9.0V
8.0V
7.0V
6.0V
BOTTOM 5.0V
顶部
100
VGS
15V
12V
10V
9.0V
8.0V
7.0V
6.0V
BOTTOM 5.0V
顶部
10
5.0V
5.0V
1
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 25
°
C
1
10
100
1
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 150
°
C
1
10
100
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
100
2.0
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
12A
I
D
=
11.7A
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
T
J
= 150
°
C
1.5
10
1.0
T
J
= 25
°
C
0.5
1
5.0
V DS = 25V
15
20μs的脉冲宽度
6.0
7.0
8.0
9.0
0.0
-60 -40 -20
V
GS
= 12V
0
20
40
60
80 100 120 140 160
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
J
，结温（
°
C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
4
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预辐照
IRHE57034 ， JANSR2N7495U5
3000
2400
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
gs
+ C
GD ，
C
ds
短
C
RSS
= C
gd
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
20
I
D
=
11.7A
12A
V
DS
= 48V
V
DS
= 30V
V
DS
= 12V
16
C，电容（pF ）
西塞
1800
12
科斯
1200
8
600
CRSS
4
0
1
10
100
0
0
10
20
测试电路
见图13
30
40
50
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
100
100
在这一领域
限于由R DS （ ON）
I
SD
，反向漏电流（ A）
10
T
J
= 150
°
C
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100s
10
T
J
= 25
°
C
1
1ms
TC = 25°C
TJ = 150℃
单脉冲
1
1
10
100
1000
VDS ，漏toSource电压（V ）
0.1
0.2
V
GS
= 0 V
0.8
1.4
2.0
2.6
10ms
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
www.irf.com
5
