IS61C256AL
32K ×8高速CMOS静态RAM
特点
高速存取时间： 10 ， 12纳秒
CMOS低功耗运行
- 1毫瓦（典型值） CMOS待机
- 125毫瓦（典型值）的操作
全静态操作：无时钟或刷新
需要
TTL兼容的输入和输出
单5V电源
无铅可
ISSI
2006年10月
描述
该
ISSI
IS61C256AL是一个非常高速，低功耗，
由8位静态RAM， 32,768字。它是使用制造
ISSI
的高性能CMOS技术。这种高度
再加上创新的电路设计可靠的工艺
技术，产量的存取时间快最多10纳秒。
当
CE
为高（取消） ，器件处于
待机模式下，在该功耗可
降低到150 μW （典型值）， CMOS输入电平。
易存储器扩展是通过使用活性提供
低芯片使能（ CE）输入和一个低电平有效输出
启用（ OE ）输入。该低电平有效写使能（ WE）
同时控制写入和读取的存储器。
该IS61C256AL的引脚与其它32Kx8 SRAM的兼容
并在28引脚SOJ和TSOP （ I型）可
包。
功能框图
A0-A14
解码器
32K ×8
存储阵列
VDD
GND
I / O
数据
电路
I/O0-I/O7
列I / O
CE
OE
WE
控制
电路
2006集成芯片解决方案， Inc.保留所有权利。 ISSI公司保留更改本规范及其产品随时权
恕不另行通知。 ISSI承担因本文所述的任何信息，产品或服务的应用或使用不承担任何责任。建议客户
之前依靠任何公开信息及订货产品之前获得此设备规范的最新版本。
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1-800-379-4774
版本B
10/23/06
1
IS61C256AL
引脚配置
28引脚SOJ
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VDD
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
ISSI
引脚配置
28引脚TSOP
OE
A11
A9
A8
A13
WE
VDD
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
22
23
24
25
26
27
28
1
2
3
4
5
6
7
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
GND
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
引脚说明
A0-A14
CE
OE
WE
I/O0-I/O7
V
DD
GND
地址输入
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
双向端口
动力
地
真值表
模式
WE
CE
H
L
L
L
OE
X
H
L
X
I / O操作V
DD
当前
高-Z
高-Z
D
OUT
D
IN
I
SB
1
, I
SB
2
I
CC
I
CC
I
CC
未选择
X
（掉电）
输出禁用
读
H
写
L
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
英镑
P
T
I
OUT
参数
相对于GND端子电压
储存温度
功耗
直流输出电流（低）
价值
-0.5到+7.0
-65到+150
1.5
20
单位
V
°C
W
mA
注意：
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致器件永久性损坏。这是一个
值仅为器件在这些或以上的任何其他条件的功能操作在操作说明
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响
可靠性。
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IS61C256AL
工作范围
范围
广告
广告
产业
环境温度
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
速度快（纳秒）
-10
-12
-12
V
DD
(V)
5V ± 5%
5V ± 10%
5V ± 10%
ISSI
DC电气特性
（以上经营范围）
符号参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
(1)
输入漏
输出漏
GND
≤
V
IN
≤
V
DD
GND
≤
V
OUT
≤
V
DD
,
输出禁用
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
测试条件
V
DD
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
DD
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
分钟。
2.4
—
2.2
–0.3
–1
–2
–1
–2
马克斯。
—
0.4
V
DD
+ 0.5
0.8
1
2
1
2
单位
V
V
V
V
A
A
注意：
1. V
IL
= -3.0V为脉冲宽度小于10纳秒。
电源特性
(1)
（以上经营范围）
符号
I
CC
1
I
CC
2
参数
V
DD
操作
电源电流
V
DD
工作动态
电源电流
TTL待机电流
（ TTL输入）
CMOS待机
电流（ CMOS输入）
测试条件
V
DD
=最大，
CE
= V
IL
I
OUT
= 0 mA时， F = 0
V
DD
=最大，
CE
= V
IL
I
OUT
= 0 mA时，女= F
最大
V
DD
=最大，
V
IN
= V
IH
或V
IL
CE
≥
V
IH
, f = 0
V
DD
=最大，
CE
≥
V
DD
– 0.2V,
V
IN
≥
V
DD
- 0.2V ，或
V
IN
≤
0.2V ， F = 0
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
典型值。
(2)
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
典型值。
(2)
-10
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
—
20
—
45
—
1
—
350
—
-12
分钟。马克斯。
—
—
—
—
25
—
—
1
2
mA
20
25
35
40
单位
mA
mA
I
SB
1
I
SB
2
—
350
—
450
200
A
注意：
1.在f = F
最大
，地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0，表示无输入线发生变化。
2.典型的值在V测量
DD
= 5V ，T
A
= 25
o
C和不是100 ％测试。
电容
(1,2)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
8
10
单位
pF
pF
注意事项：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
2.测试条件：T已
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
DD
= 5.0V.
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3
IS61C256AL
读周期开关特性
(1)
（以上经营范围）
符号
参数
读周期时间
地址访问时间
输出保持时间
CE
存取时间
OE
存取时间
OE
以低Z输出
OE
到输出高阻态
CE
以低Z输出
CE
到输出高阻态
CE
到上电
CE
掉电
-10 NS
MIN 。 MAX
10
—
2
—
—
0
—
2
—
0
—
—
10
—
10
6
—
5
—
5
—
10
-12 NS
分钟。马克斯。
12
—
2
—
—
0
—
3
—
0
—
—
12
—
12
6
—
6
—
7
—
12
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ISSI
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACS
t
美国能源部
t
LZOE
(2)
t
HZOE
(2)
t
LZCS
(2)
t
HZCS
(2)
t
PU
(3)
t
PD
(3)
注意事项：
1.测试条件假设为5纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平， 0输入脉冲电平为3.0V
并规定在图1的输出负载。
2.在图测试与负载2的过渡，从稳态电压测量± 500毫伏。未经100％测试。
3.未经100％测试。
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序
和参考电平
输出负载
单位
0V至3.0V
3纳秒
1.5V
参见图1和2
AC测试负载
480
Ω
5V
5V
480
Ω
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
255
Ω
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
255
Ω
图1
图2
4
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IS61C256AL
AC波形
读周期1号
(1,2)
t
RC
地址
ISSI
t
AA
t
OHA
D
OUT
以前的数据有效
t
OHA
数据有效
READ1.eps
读周期2号
(1,3)
t
RC
地址
t
AA
OE
t
OHA
t
美国能源部
CE
t
HZOE
t
LZOE
t
ACS
t
LZCS
t
HZCS
数据有效
CE_RD2.eps
D
OUT
高-Z
注意事项：
1.
WE
高一读周期。
2.该装置被连续地选择。
OE ，CE
= V
IL
.
3.地址之前或重合是有效的
CE
低转换。
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5
IS61C256AL
32K ×8高速CMOS静态RAM
特点
高速存取时间： 10 ， 12纳秒
CMOS低功耗运行
- 1毫瓦（典型值） CMOS待机
- 125毫瓦（典型值）的操作
全静态操作：无时钟或刷新
需要
TTL兼容的输入和输出
单5V电源
无铅可
ISSI
2006年10月
描述
该
ISSI
IS61C256AL是一个非常高速，低功耗，
由8位静态RAM， 32,768字。它是使用制造
ISSI
的高性能CMOS技术。这种高度
再加上创新的电路设计可靠的工艺
技术，产量的存取时间快最多10纳秒。
当
CE
为高（取消） ，器件处于
待机模式下，在该功耗可
降低到150 μW （典型值）， CMOS输入电平。
易存储器扩展是通过使用活性提供
低芯片使能（ CE）输入和一个低电平有效输出
启用（ OE ）输入。该低电平有效写使能（ WE）
同时控制写入和读取的存储器。
该IS61C256AL的引脚与其它32Kx8 SRAM的兼容
并在28引脚SOJ和TSOP （ I型）可
包。
功能框图
A0-A14
解码器
32K ×8
存储阵列
VDD
GND
I / O
数据
电路
I/O0-I/O7
列I / O
CE
OE
WE
控制
电路
2006集成芯片解决方案， Inc.保留所有权利。 ISSI公司保留更改本规范及其产品随时权
恕不另行通知。 ISSI承担因本文所述的任何信息，产品或服务的应用或使用不承担任何责任。建议客户
之前依靠任何公开信息及订货产品之前获得此设备规范的最新版本。
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10/23/06
1
IS61C256AL
引脚配置
28引脚SOJ
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VDD
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
ISSI
引脚配置
28引脚TSOP
OE
A11
A9
A8
A13
WE
VDD
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
22
23
24
25
26
27
28
1
2
3
4
5
6
7
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
GND
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
引脚说明
A0-A14
CE
OE
WE
I/O0-I/O7
V
DD
GND
地址输入
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
双向端口
动力
地
真值表
模式
WE
CE
H
L
L
L
OE
X
H
L
X
I / O操作V
DD
当前
高-Z
高-Z
D
OUT
D
IN
I
SB
1
, I
SB
2
I
CC
I
CC
I
CC
未选择
X
（掉电）
输出禁用
读
H
写
L
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
英镑
P
T
I
OUT
参数
相对于GND端子电压
储存温度
功耗
直流输出电流（低）
价值
-0.5到+7.0
-65到+150
1.5
20
单位
V
°C
W
mA
注意：
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致器件永久性损坏。这是一个
值仅为器件在这些或以上的任何其他条件的功能操作在操作说明
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响
可靠性。
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IS61C256AL
工作范围
范围
广告
广告
产业
环境温度
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
速度快（纳秒）
-10
-12
-12
V
DD
(V)
5V ± 5%
5V ± 10%
5V ± 10%
ISSI
DC电气特性
（以上经营范围）
符号参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
(1)
输入漏
输出漏
GND
≤
V
IN
≤
V
DD
GND
≤
V
OUT
≤
V
DD
,
输出禁用
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
测试条件
V
DD
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
DD
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
分钟。
2.4
—
2.2
–0.3
–1
–2
–1
–2
马克斯。
—
0.4
V
DD
+ 0.5
0.8
1
2
1
2
单位
V
V
V
V
A
A
注意：
1. V
IL
= -3.0V为脉冲宽度小于10纳秒。
电源特性
(1)
（以上经营范围）
符号
I
CC
1
I
CC
2
参数
V
DD
操作
电源电流
V
DD
工作动态
电源电流
TTL待机电流
（ TTL输入）
CMOS待机
电流（ CMOS输入）
测试条件
V
DD
=最大，
CE
= V
IL
I
OUT
= 0 mA时， F = 0
V
DD
=最大，
CE
= V
IL
I
OUT
= 0 mA时，女= F
最大
V
DD
=最大，
V
IN
= V
IH
或V
IL
CE
≥
V
IH
, f = 0
V
DD
=最大，
CE
≥
V
DD
– 0.2V,
V
IN
≥
V
DD
- 0.2V ，或
V
IN
≤
0.2V ， F = 0
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
典型值。
(2)
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
典型值。
(2)
-10
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
—
20
—
45
—
1
—
350
—
-12
分钟。马克斯。
—
—
—
—
25
—
—
1
2
mA
20
25
35
40
单位
mA
mA
I
SB
1
I
SB
2
—
350
—
450
200
A
注意：
1.在f = F
最大
，地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0，表示无输入线发生变化。
2.典型的值在V测量
DD
= 5V ，T
A
= 25
o
C和不是100 ％测试。
电容
(1,2)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
8
10
单位
pF
pF
注意事项：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
2.测试条件：T已
A
= 25 ° C，F = 1兆赫，V
DD
= 5.0V.
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读周期开关特性
(1)
（以上经营范围）
符号
参数
读周期时间
地址访问时间
输出保持时间
CE
存取时间
OE
存取时间
OE
以低Z输出
OE
到输出高阻态
CE
以低Z输出
CE
到输出高阻态
CE
到上电
CE
掉电
-10 NS
MIN 。 MAX
10
—
2
—
—
0
—
2
—
0
—
—
10
—
10
6
—
5
—
5
—
10
-12 NS
分钟。马克斯。
12
—
2
—
—
0
—
3
—
0
—
—
12
—
12
6
—
6
—
7
—
12
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ISSI
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACS
t
美国能源部
t
LZOE
(2)
t
HZOE
(2)
t
LZCS
(2)
t
HZCS
(2)
t
PU
(3)
t
PD
(3)
注意事项：
1.测试条件假设为5纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平， 0输入脉冲电平为3.0V
并规定在图1的输出负载。
2.在图测试与负载2的过渡，从稳态电压测量± 500毫伏。未经100％测试。
3.未经100％测试。
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序
和参考电平
输出负载
单位
0V至3.0V
3纳秒
1.5V
参见图1和2
AC测试负载
480
Ω
5V
5V
480
Ω
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
255
Ω
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
255
Ω
图1
图2
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AC波形
读周期1号
(1,2)
t
RC
地址
ISSI
t
AA
t
OHA
D
OUT
以前的数据有效
t
OHA
数据有效
READ1.eps
读周期2号
(1,3)
t
RC
地址
t
AA
OE
t
OHA
t
美国能源部
CE
t
HZOE
t
LZOE
t
ACS
t
LZCS
t
HZCS
数据有效
CE_RD2.eps
D
OUT
高-Z
注意事项：
1.
WE
高一读周期。
2.该装置被连续地选择。
OE ，CE
= V
IL
.
3.地址之前或重合是有效的
CE
低转换。
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