IXDN430 / IXDI430 / IXDD430 / IXDS430
30安培低端超快MOSFET / IGBT驱动器
特点
使用的优点和兼容性内置
CMOS和IXYS HDMOS的
TM
过程的
闭锁保护
高峰值输出电流： 30A峰值
宽工作电压范围： 8.5V至35V
- 欠压锁定保护
能够禁止在故障输出
高容性负载
驱动能力： 5600 pF的在<25ns
匹配的上升和下降时间
低传播延迟时间
低输出阻抗
低电源电流
概述
该IXDN430 / IXDI430 / IXDD430 / IXDS430是高速高
电流栅极驱动器专门设计用于驱动MOSFET
和IGBT为最小转换时间和最大
实际的频率范围。该IXD_430可源出或吸入
峰值电流30A ，同时产生电压的上升和下降时间
比为30ns以内。驾驶者的输入可以兼容
TTL或CMOS ，并且完全不受闭锁在整个
工作范围。小内部延迟的设计，跨
导通/电流直通的所有基本消除
配置。它们的功能和广泛的安全边际
工作电压和功率使驾驶者无以伦比
性能和价值。
该IXD_430结合来禁止输出的独特能力
在故障情况。标准的欠压锁定是
12.5V其也可以在IXDS430SI设置为8.5V 。当一个
逻辑低被压入使能输入端，这两个末级输出
阶段的MOSFET （ NMOS和PMOS ）截止。作为
结果， IXDD430的输出进入三态模式和
实现了软关断MOSFET的短路时是
检测到。这有助于防止可能发生的损害
MOSFET如果它被关闭，突然由于dv / dt的
过压瞬态。
该IXDN430被配置为同相的栅极驱动器，以及
IXDI430是一个反相栅极驱动器。该IXDS430可配置
无论是作为一个同相或反相驱动器。该IXD_430可用
在标准的28脚的SIOC （SI- CT）， 5针TO- 220 （CI） ，并且在
TO- 263 （ YI）表面贴装封装。 CT或“酷标签'为28-
引脚SOIC封装是指背面的金属散热片标签。
应用
驱动MOSFET和IGBT
电机控制
线路驱动器
脉冲发生器
本地电源ON / OFF开关
开关模式电源（ SMPS ）
DC到DC转换
脉冲变压器驱动器
限制的di / dt在短路
D类开关放大器
订购信息
P一RT N个U M B é
九D D 4 3 0 Y I
九D D 4 3 0 C I
九 I4 3 0 Y I
九 I4 3 0 C I
九 N 4 3 0 Y I
九 N 4 3 0 C I
九 S 4 3 0 S I
P A C K A G （E T） YP ê
5 -P在T O服务-2 6 3
5 -P在T O服务-2 2 0
5 -P在T O服务-2 6 3
5 -P在T O服务-2 2 0
5 -P在T O服务-2 6 3
5 -P在T O服务-2 2 0
2 8 -p在S 0 IC
5 -5 °C至+ 1 2 5℃
在已经rtin克/ N 0：N
在已经rtin G W i个简体A，B乐
和UVSEL
5 -5 °C至+ 1 2 5℃
5 -5 °C至+ 1 2 5℃
在已经rtin克
N}÷ N的已经rtin克
TEM页。范围
5 -5 °C至+ 1 2 5℃
0：N图ü RA TIO N
N}÷ N的已经rtin G W i个
简A B LE
版权所有 IXYS公司2004年
DS99045B(8/04)
首次发行
IXDN430 / IXDI430 / IXDD430 / IXDS430
图1A - IXDD430 （非反相带使能）图
VCC
400k
VCC
IN
EN
1K
OUT P
输出N
GND
GND
图1B - IXDN430 （非反相）图
VCC
VCC
IN
1K
OUT P
输出N
GND
GND
图1C - IXDI430 （反相）图
VCC
VCC
IN
1K
OUT P
输出N
GND
GND
图1D - IXDS430 （反相和非反相带有使能端）图
VCC
VCC
IN
EN
1K
400K
OUT P
输出N
400K
INV
GND
GND
注意：输出P和输出N被连接在一起的5引脚TO -220和TO- 263封装。
2
IXDN430 / IXDI430 / IXDD430 / IXDS430
绝对最大额定值
（注1 ）
参数
电源电压
所有其他引脚
功耗，T
环境
≤25
oC
TO220 （ CI ） ， TO263 （ YI）
降额因子（到环境）
TO220 （ CI ） ， TO263 （ YI）
储存温度
焊接温度（ 10秒）
工作额定值
P一RA M E TE
米XIM UM结牛逼EM perature
价值
40 V
-0.3 V至VCC + 0.3 V
2W
0.016W/oC
-65摄氏度到150摄氏度
300摄氏度
伏鲁é
150℃
章操挺牛逼EM perature 法兰
-55摄氏度至125摄氏度
牛逼赫姆人林pedance T O服务220 （ C I ） ， 263 （ Y I ）
θ
JC
（菊nction牛逼摄氏度ASE ）
0.95摄氏度/ W
62.5摄氏度/ W
牛逼赫姆人林pedance 28引脚SO封装IC，第i个吃S耳（ SI ）
θ
JC
（菊nction牛逼摄氏度ASE ）
3 O C / W
θ
JA
（菊nction T O服务A M边T）
电气特性
除非另有说明，T
A
= 25
o
C， 8.5V
≤
V
CC
≤
35V .
所有电压测量相对于GND 。 IXDD430配置为在所述的
测试条件。
S YM BOL
V
IH
V
IL
V
IN
I
IN
V
OH
V
OL
R
OH
R
OL
I
PEA
I
D C
V
EN
V
EN
V
EN L
R
EN
V
INV
V
INVH
V
INVL
R
在V
t
R
t
F
t
ND LY
t
华氏度FD LY
t
ê证号H
t
D 2 O LD
V
CC
I
C C
PARAM ETER
高输入电压
低输入电压
输入电压范围
输入电流
高输出V oltage
低输出电压V oltage
本安输出电阻
@安输出高
本安输出电阻
@安输出低
峰值输出电流
连续输出
当前
启用V oltage范围
高简体输入电压
低恩输入电压
EN R输入esistance
INV电压范围
高V输入电压
低V输入电压
INV R输入esistance
上升添ê
下跌添ê
正添é传播
延迟
关添é传播
延迟
能到输出高
延迟添ê
禁止输出低电平
延迟添ê
电源V oltage
电源电流
牛逼EST onditio N s个
4.5V
≤
V
C C
≤
18V
4.5V
≤
V
C C
≤
18V
米
3.5
牛逼YP
米斧
0.8
ü尼特
V
V
V
A
V
-5
0V
≤
V
IN
≤
V
C C
-10
V
C C
- 0.025
V
C C
+ 0.3
10
0.025
V
C C
= 18V
V
C C
= 18V
V
C C
= 18V
廉资讯科技教育由包电
耗散
IXD D430唯一一句
IXD D430唯一一句
IXD D430唯一一句
IXD S430唯一一句
IXD S430唯一一句
IXD S430唯一一句
IXD S430唯一一句
IXD S430唯一一句
C
L
= 5600pF V CC = 18V
C
L
= 5600pF V CC = 18V
C
L
= 5600pF V CC = 18V
C
L
= 5600pF V CC = 18V
IXD D430唯一一句， VCC = 18V
IXD D430唯一一句， VCC = 18V
8.5
V
IN
= 3.5V
V
IN
= 0V
V
IN
= + V
C C
18
1
0
400
18
16
41
35
20
18
45
39
47
120
35
3
10
10
- 0.3
2/3 V CC
1/3 V CC
400
VCC + 0.3
0.3
0.2
30
8
- 0.3
2/3 V CC
1/3 V CC
VCC + 0.3
0.4
0.3
V
A
A
V
V
V
千欧
V
V
V
千欧
ns
ns
ns
ns
ns
ns
V
mA
A
A
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
注1 ：
超越经营与上市的“绝对最大额定值”参数，该设备可能会造成永久性的
损坏设备。典型的值将指示该设备被拟功能的条件下，但不
保证特定的性能限制。保证规格仅适用于列出的测试条件。
长期在绝对最大额定条件下工作会影响器件的可靠性。
3
IXDN430 / IXDI430 / IXDD430 / IXDS430
电气特性
除非另有说明，温度超过-55
o
C至+ 125
o
C, 4.5
≤
V
CC
≤
35V .
所有电压测量相对于GND 。 IXDD430配置为在所述的
测试条件。
符号
V
IH
V
IL
V
IN
R
OH
R
OL
t
R
t
F
t
ONDLY
t
OFFDLY
V
CC
参数
高输入电压
低输入电压
输入电压范围
输出电阻
@输出高
输出电阻
@输出低
上升时间
下降时间
导通时间的传播
延迟
关断时间的传播
延迟
电源电压
测试条件
4.5V
≤
V
CC
≤
18V
4.5V
≤
V
CC
≤
18V
民
3.2
典型值
最大
1.1
单位
V
V
V
ns
ns
ns
ns
V
-5
V
CC
= 18V
V
CC
= 18V
C
L
= 5600pF VCC = 18V
C
L
= 5600pF VCC = 18V
C
L
= 5600pF VCC = 18V
C
L
= 5600pF VCC = 18V
8.5
18
V
CC
+ 0.3
0.46
0.4
20
18
58
51
35
5引脚TO- 220外形（ IXD_430CI ）
5引脚TO- 263外形（ IXD_430YI ）
28引脚SOIC纲要（ IXD_430SI ）
注意：
安装接片，焊片，或在所有的包散热器的金属化是连接到地。
4
IXDN430 / IXDI430 / IXDD430 / IXDS430
销刀豆网络gurations
VCC 1
VCC 2
VCC 3
4 VCC
N / C 5
UVSEL 6
N / C 7
在8
CS 9
INV 10
GND 11
GND 12
GND 13
GND 14
28引脚SOIC
（SI- CT）的
28 VCC
27 VCC
26 VCC
25 VCC
24个P
23个P
22个P
21输出N
20输出N
19输出N
18 GND
17 GND
16 GND
15 GND
1
2
3
4
5
VCC
OU
T
GND
IN
E *
N
TO220 （ CI ）
TO263 （ YI）
引脚说明
符号
VCC
IN
EN *
INV
OUT P
输出N
功能
电源电压
输入
启用
倒置
产量
描述
正电源电压输入。该引脚提供电源
整个芯片。的范围内对这个电压是从8.5V到35V 。
输入信号TTL或CMOS兼容。
该系统使能引脚。该引脚，当驱动为低电平，禁止芯片，
（仅IXDD430 ）迫使高阻抗状态的输出。
迫使INV低会导致IXDS430成为非反转，而
迫使INV高会导致IXDS430成为倒。
相应的P和N驱动器输出。对于应用而言该引脚
连接，通过一个电阻，以门的MOSFET / IGBT的。在P
和N个输出管脚连接在一起，在TO -263和TO- 220
包。
系统接地引脚。内部连接到所有的电路，该引脚
提供了整个芯片的接地参考。该引脚应
连接到低噪声模拟地平面，以获得最佳
性能。
当变送器UVSEL连接至Vcc ， IXDS430输出变为低电平在Vcc <
8.5V ;当变送器UVSEL开，下电压电平被设置在Vcc < 12.5V
GND
UVSEL
地
选择在
电压等级
*此引脚用于仅在IXDD430 ，并且是N / C（未连接）上的IXDI430和IXDN430 。
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD过程时
搬运和装配组件。
图2 - 特性测试图
.
C
+
-
VCC
.
C
负载
VCC
OUT
GND
IXDD430
旁路/
滤波器
+
VIN
IN
EN
-
5
