快速
8K ×16双端口
静态RAM
集成设备技术有限公司
IDT7025S/L
产品特点：
真正的双端口存储器单元允许simulta-
相同的内存位置neous访问
高速访问
??军事： 20/25 /35/ 55 / 70ns的（最大）
??商业：15 /17/ 20/25 /35 / 55ns （最大）
低功耗运行
- IDT7025S
主动： 750MW （典型值）。
待机： 5毫瓦（典型值）。
- IDT7025L
主动： 750MW （典型值）。
待机：为1mW （典型值）。
独立的高字节和低字节控制
复用总线的兼容性
IDT7025轻松扩展数据总线宽度为32位或
更多使用主/从选择级联时
一个以上的设备
M/
S
= H的
忙
法师输出标志
M/
S
= L为
忙
输入从机上
忙碌而中断标志
片上的端口仲裁逻辑
全片上硬件支持信号量的信号
端口之间
设备能够比2001V承受更大的
静电放电
从任何一个端口完全异步操作
电池备份操作？ 2V数据保留
TTL兼容，单5V （ ± 10 ％ ）电源
可提供84引脚PGA ， 84引脚四方扁平封装， 84引脚
PLCC ，和100引脚薄型四方扁平封装塑料
工业级温度范围（-40 ° C至+ 85°C ）是可用
能，测试军事电气规范
功能框图
R/
W
L
R/
W
R
UB
L
UB
R
LB
L
CE
L
OE
L
LB
R
CE
R
OE
R
I / O
8L
-I / O
15L
I / O
控制
I / O
0L
-I / O
7L
I / O
控制
I / O
8R
-I / O
15R
I / O
0R
-I / O
7R
忙
(1,2)
L
忙
R
地址
解码器
13
(1,2)
A
12L
A
0L
内存
ARRAY
13
地址
解码器
A
12R
A
0R
注意事项：
1. （ MASTER ） ：
忙
输出;
（ SLAVE ） ：
忙
输入。
2.
忙
输出
和
INT
输出
都是非三态
推拉。
CE
L
OE
L
R/
W
L
SEM
L
(2)
INT
L
仲裁
打断
SEMAPHORE
逻辑
CE
R
OE
R
R/
W
R
SEM
R
INT
R(2)
2683 DRW 01
M/
S
IDT标志是集成设备技术公司的注册商标。
军用和商用温度范围
1996集成设备技术有限公司
有关最新信息，请联系IDT的网站www.idt.com或传真点播在408-492-8391 。
1996年10月
DSC六分之二千六百八十三
6.16
1
IDT7025S/L
高速8K ×16双口静态RAM
军用和商用温度范围
描述：
该IDT7025是一种高速8K ×16双端口静态
内存。的IDT7025被设计为用作一个独立的
128K位双端口RAM或组合MASTER /
SLAVE双口RAM为32位或更多的字系统。
在使用IDT主/从双口RAM的方法
32位或者更宽的存储器系统的应用程序的结果在全
速度，而不需要额外的无错操作
离散逻辑。
该器件提供了独立的两个独立端口
控制，地址和I / O引脚，允许独立的，
对于异步访问读或写操作的任何位置中
内存。通过芯片控制的自动断电功能
启用（
CE
）允许芯片上的电路，每个端口的输入
非常低的待机功耗模式。
采用IDT的CMOS高性能技制造
术，这些设备通常在功率仅为750MW操作。
低功率（ L）版本提供电池备份数据保留
与500μW的从2V典型功耗能力
电池。
的IDT7025封装在陶瓷84引脚的PGA ，一个84-
引脚四方扁平封装， 84引脚PLCC和100引脚TQFP封装。
军用级产品的制造符合
MIL -STD - 883 ， B类的最新版本，使之成为理想的
适用于军用温度要求苛刻的应用程序的
最高级别的性能和可靠性。
销刀豆网络gurations
(1,2)
V
CC
R/
L
SEM
L
I / O
7L
I / O
6L
I / O
5L
I / O
4L
I / O
3L
I / O
2L
GND
I / O
1L
I / O
0L
指数
I / O
8L
I / O
9L
I / O
10L
I / O
11L
I / O
12L
I / O
13L
GND
I / O
14L
I / O
15L
V
CC
GND
I / O
0R
I / O
1R
I / O
2R
V
CC
I / O
3R
I / O
4R
I / O
5R
I / O
6R
I / O
7R
I / O
8R
11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 84 83 82 81 80 79 78 77 76 75
74
12
73
13
72
14
71
15
70
16
69
17
68
18
IDT7025
67
19
J84-1
F84-2
66
20
65
21
84引脚PLCC /
扁平
64
22
TOP VIEW （ 3 ）
63
23
62
24
61
25
60
26
59
27
58
28
57
29
56
30
55
31
54
32
33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53
I / O
10R
I / O
11R
I / O
12R
I / O
13R
I / O
14R
GND
I / O
15R
R/
R
GND
A
12R
A
11R
A
12L
A
11L
A
10L
A
9L
A
8L
OE
L
UB
L
LB
L
CE
L
W
A
7L
A
6L
A
5L
A
4L
A
3L
A
2L
A
1L
A
0L
INT
L
忙
L
GND
M/
S
忙
R
INT
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
A
5R
A
6R
2683 DRW 02
SEM
R
I / O
9R
A
10R
A
9R
A
8R
A
7R
OE
R
UB
R
LB
R
CE
R
W
I / O
9L
I / O
8L
I / O
7L
I / O
6L
I / O
5L
I / O
4L
I / O
3L
I / O
2L
GND
I / O
1L
I / O
0L
V
CC
R/
L
SEM
L
UB
L
LB
L
A
12L
A
11L
A
10L
A
9L
OE
L
CE
L
A
8L
指数
W
I / O
7R
I / O
8R
I / O
9R
I / O
10R
I / O
11R
I / O
12R
I / O
13R
I / O
14R
GND
I / O
15R
R/
R
GND
SEM
R
A
12R
A
11R
A
10R
A
9R
A
8R
A
7R
A
6R
A
5R
OE
R
UB
R
LB
R
CE
R
注意事项：
1.所有V
CC
引脚必须连接到电源。
2.所有GND引脚都必须连接到接地电源。
3.本文并不表示实际的部分标记的方向。
N / C
N / C
N / C
N / C
I / O
10L
I / O
11L
I / O
12L
I / O
13L
GND
I / O
14L
I / O
15L
V
CC
GND
I / O
0R
I / O
1R
I / O
2R
V
CC
I / O
3R
I / O
4R
I / O
5R
I / O
6R
N / C
N / C
N / C
N / C
100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81 80 79 78 77 76
1
75
2
74
3
73
4
72
5
71
6
70
7
69
68
8
67
9
IDT7025
66
10
PN100-1
65
11
64
63
62
14
61
15
60
16
59
17
58
18
57
19
56
20
55
21
54
22
53
23
52
24
51
25
26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50
12
13
A
7L
A
6L
N / C
N / C
N / C
N / C
A
5L
A
4L
A
3L
A
2L
A
1L
A
0L
INT
L
100-PIN
TQFP
顶视图
(3)
忙
L
GND
M/
S
INT
R
忙
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
N / C
N / C
N / C
N / C
6.16
W
2683 DRW 03
2
IDT7025S/L
高速8K ×16双口静态RAM
军用和商用温度范围
真值表I - 非争读/写控制
输入
(1)
输出
CE
H
X
L
L
L
L
L
L
X
R/
W
X
X
L
L
L
H
H
H
X
OE
X
X
X
X
X
L
L
L
H
UB
X
H
L
H
L
L
H
L
X
LB
X
H
H
L
L
H
L
L
X
SEM
H
H
H
H
H
H
H
H
X
I / O
8-15
高-Z
高-Z
数据
IN
高-Z
数据
IN
数据
OUT
高-Z
高-Z
I / O
0-7
高-Z
高-Z
高-Z
数据
IN
数据
IN
高-Z
两个字节取消选择
模式
取消：关闭电源
写字节上仅
写低字节只
写两个字节
读高字节只
数据
OUT
读低字节只
高-Z
输出禁用
2683 TBL 03
数据
OUT
数据
OUT
阅读两个字节
注意：
1. A
0L
— A
12L
不等于A
0R
— A
12R.
真值表II - 旗语读/写控制
(1)
输入
输出
CE
H
X
H
X
L
L
R/
W
H
H
OE
L
L
X
X
X
X
UB
X
H
X
H
L
X
LB
X
H
X
H
X
L
SEM
L
L
L
L
L
L
I / O
8-15
I / O
0-7
模式
数据
OUT
数据
OUT
阅读信号灯标志数据输出
数据
OUT
数据
OUT
阅读信号灯标志数据输出
数据
IN
数据
IN
—
—
数据
IN
数据
IN
—
—
写I / O
0
到信号灯标志
写I / O
0
到信号灯标志
不允许
不允许
2683 TBL 04
u
u
X
X
注意：
1.有通过我写的八个信号旗/ O
0
从我读/ O
0
- I / O
15.
这八个信号灯由A处理
0
- A
2
.
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
(2)
等级
广告
军事
-0.5到+7.0
单位
V
端电压-0.5到+7.0
对于
到GND
操作
温度
温度
在偏置
存储
温度
DC输出
当前
0至+70
-55到+125
-55到+125
50
建议的直流工作
条件
符号
V
CC
GND
参数
电源电压
电源电压
输入高电压
输入低电压
分钟。
4.5
0
2.2
–0.5
(1)
典型值。
5.0
0
—
—
MAX 。 UNIT
5.5
0
6.0
(2)
0.8
V
V
V
V
2683 TBL 06
T
A
T
BIAS
T
英镑
I
OUT
-55到+125
-65到+135
-65到+150
50
°C
°C
°C
mA
V
IH
V
IL
注意事项：
1. V
I
L
> -1.5V脉冲宽度小于10ns的。
2. V
TERM
不得超过VCC + 0.5V。
注意事项：
2683 TBL 05
1.强调超过绝对最大上市
额定值可能会导致器件的永久性损坏。这是一个应力
值仅为器件在这些或任何其他功能操作
以上这些条件在此业务部门所标明
规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。
2. V
TERM
不得超过VCC + 0.5V对循环时间的25％以上
或10ns的最大值，并仅限于< 20毫安期间超过V
TERM
> VCC + 0.5V 。
电容
(1)
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的）仅TQFP
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
产量
电容
条件
(2)
马克斯。
V
IN
= 3DV
V
OUT
= 3DV
9
10
单位
pF
pF
注意事项：
2683 TBL 07
1，这个参数是由器件特性决定的，但不是
生产测试。
2. 3DV引用当输入和内插的输出电容
信号转换为0V至3V或3V至0V 。
6.16
4
IDT7025S/L
高速8K ×16双口静态RAM
军用和商用温度范围
DC电气特性在
工作温度和电源电压范围
(V
CC
= 5.0V
±
10%)
IDT7025S
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
(1)
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
测试条件
V
CC
= 5.5V, V
IN
= 0V至V
CC
分钟。
—
—
—
2.4
马克斯。
10
10
0.4
—
IDT7025L
分钟。
—
—
—
2.4
马克斯。
5
5
0.4
—
单位
A
A
V
V
2683 TBL 08
CE
= V
IH
, V
OUT
= 0V至V
CC
I
OL
= 4毫安
I
OH
= -4mA
注意：
1.在Vcc ＆ LT ; 2.0V输入泄漏是不确定的。
DC电气特性在
工作温度和电源电压范围
(1)
(V
CC
= 5.0V
±
10%)
符号
参数
工作动态
I
CC
当前
（两个端口均有效）
TEST
条件
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
=V
IL
，输出打开
SEM
= V
IH
f = f
MAX(3)
7025X15
7025X17
7025X20
Com'l 。只
Com'l 。只
(2)
版的典型。马克斯。典型值。
(2)
马克斯。典型值。
(2)
马克斯。
MIL S
—
—
—
—
160
370
L
—
—
—
—
160
320
COM S
L
米尔
S
L
170
170
—
—
20
20
—
—
105
105
—
—
1.0
0.2
—
—
100
100
310
260
—
—
60
50
—
—
190
160
—
—
15
5
—
—
170
140
170
170
—
—
20
20
—
—
105
105
—
—
1.0
0.2
—
—
100
100
310
260
—
—
60
50
—
—
190
160
—
—
15
5
—
—
170
140
160
160
20
20
20
20
95
95
95
95
1.0
0.2
1.0
0.2
90
90
90
90
290
240
90
70
60
50
240
210
180
150
30
10
15
5
225
200
155
130
7025X25
典型值。
(2)
MAX 。 UNIT
155
340
mA
155
280
155
155
16
16
16
16
90
90
90
90
1.0
0.2
1.0
0.2
85
85
85
85
265
220
80
65
60
50
215
180
170
140
30
10
15
5
200
170
145
120
mA
mA
mA
mA
I
SB1
待机电流
（这两个端口 - TTL
电平输入）
CE
R
=
CE
L
= V
IH
SEM
R
=
SEM
L
= V
IH
f = f
MAX(3)
COM S
L
米尔
S
L
COM S
L
米尔
S
L
I
SB2
待机电流
（单端口 - TTL
电平输入）
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
=V
IL
和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
=V
IL(5)
有源端口输出打开
f = f
MAX(3)
SEM
R
=
SEM
L
= V
IH
I
SB3
全待机电流两个端口
CE
L
和
（这两个端口 - 所有
CE
R
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
CMOS电平输入）V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或
COM S
(4)
V
IN
＆ LT ; 0.2V ， F = 0
L
SEM
R
=
SEM
L
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
I
SB4
全待机电流
（一个端口 - 所有
CMOS电平输入）
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
< 0.2
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
(5)
SEM
R
=
SEM
L
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或
V
IN
＆ LT ; 0.2V ，主动港
输出打开，
f = f
MAX(3)
米尔
S
L
COM S
L
注意事项：
2683 TBL 09
1. "X"部分数字表示额定功率（S或L ） 。
2. V
CC
= 5V ，T
A
= + 25°C ，而不是生产测试。 ICC DC
=
120毫安（典型值）。
3.在f = F
最大
,
地址和I / O'
S
被循环以1 /吨的最高频率的读周期
RC
，并用GND的输入电平的“AC测试条件”到3V 。
4， F = 0表示无地址或控制线变化。
5.端口"A"可能是左或右端口。港口"B"从口"A"相反。
6.16
5
