IL400
威世半导体
光电耦合器， PhotoSCR输出， 400 V
RM
1浪涌电流
特点
打开电流（I
FT
） ，5.0 mA典型
门极触发电流（I
GT
), 20
A
浪涌阳极电流， 1.0 AMP
阻断电压400 V
门极触发电压（V
GT
），0.6伏
绝缘测试电压， 5300 V
RMS
固态可靠性
标准DIP封装
无铅组件
A 1
C 2
NC 3
6 G
5 A
4 C
i179006
e3
Pb
无铅
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
订购信息
部分
IL400
IL400-X007
IL400-X009
备注
阻断电压400 V ， DIP - 6
阻断电压400 V ， SMD - 6 （选项7 ）
阻断电压400 V ， SMD - 6 （选件9 ）
机构认证
UL1577 ，文件号E52744系统代码H或按J ，
双重保护
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
描述
该IL400是光学耦合的SCR与镓
砷化红外发射器和一个硅光可控硅
传感器。切换可以在保持可实现
触发和负载之间的高度隔离
电路。该IL400可以在SCR可控硅和固体使用
固态继电器的应用，其中高阻断电压
和低输入电流sensitivy是必需的。
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
峰值反向电压
峰值正向电流（ 100
s,
1％的税
循环）
正向连续电流
功耗
从25° C减免线性
文档编号83626
修订版1.5 ， 10月26日04
测试条件
符号
V
RM
I
FM
I
F
P
DISS
价值
6.0
1.0
60
100
1.3
单位
V
A
mA
mW
毫瓦/°C的
www.vishay.com
1
IL400
威世半导体
产量
参数
反向栅极电压
阳极电压（直流或交流峰值）
阳极电流
浪涌电流阳极（ 10毫秒时间）
浪涌栅极电流（ 5.0 ms的时间）
功耗
从25° C减免线性
测试条件
符号
V
RG
V
A
I
A
I
AS
I
GS
P
DISS
价值
6.0
400
100
1.0
200
200
2.11
单位
V
V
mA
A
mA
mW
毫瓦/°C的
耦合器
参数
隔离电压
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
总包耗散
从25℃线性降额
工作温度
储存温度
T
AMB
T
英镑
测试条件
符号
V
ISO
R
IO
R
IO
价值
5300
＆ GT ; 10
12
＆ GT ; 10
12
250
2.63
- 55 + 100
- 55 + 150
单位
V
RMS
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
反向电压
反向电流
测试条件
I
F
= 20毫安
I
R
= 10
A
V
R
= 5.0 V
符号
V
F
V
R
I
R
5.0
10
民
典型值。
1.2
最大
1.5
单位
V
V
A
产量
参数
正向阻断电压
反向阻断电压
通态电压
保持电流
门极触发电压
正向漏电流
反向漏电流
门极触发电流
测试条件
R
GK
= 10 KΩ ，T
A
= 100 °C ,
I
d
= 150
A
R
GK
= 10 KΩ ，T
A
= 100 °C ,
I
d
= 150
A
I
T
= 100毫安
R
GK
= 27 KΩ ，V
FX
= 50 V
V
FX
= 100 V ，R
GK
= 27 K,
R
L
= 10 K
R
GK
= 27 KΩ ，我
F
= 0
R
GK
= 27 KΩ ，我
F
= 0
V
FX
= 100 V ，R
GK
= 27 K,
R
L
= 10 K
符号
V
DRM
V
DRRM
V
t
I
H
V
GT
I
D
I
R
I
GT
0.6
0.2
0.2
20
民
400
400
1.2
500
1.0
2.0
2.0
50
典型值。
最大
单位
V
V
V
A
V
A
A
A
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2
文档编号83626
修订版1.5 ， 10月26日04
IL400
威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
这是威世半导体有限公司向政策
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售的业绩和
operatingsystems相对于它们的健康和员工的安全和公众的影响，如
以及它们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
日前，Vishay半导体有限公司已经能够利用不断改进其政策，以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
日前，Vishay半导体有限公司可以证明我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有
索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔
损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
电话： 49 （ 0 ） 67 7131 2831 ，传真号码： 49 （ 0 ） 67 7131 2423
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文档编号83626
修订版1.5 ， 10月26日04
IL400
威世半导体
光电耦合器， PhotoSCR输出， 400 V
RM
1浪涌电流
特点
打开电流（I
FT
） ，5.0 mA典型
门极触发电流（I
GT
), 20
A
浪涌阳极电流， 1.0 AMP
阻断电压400 V
门极触发电压（V
GT
），0.6伏
绝缘测试电压， 5300 V
RMS
固态可靠性
标准DIP封装
无铅组件
A 1
C 2
NC 3
6 G
5 A
4 C
i179006
e3
Pb
无铅
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
订购信息
部分
IL400
IL400-X007
IL400-X009
备注
阻断电压400 V ， DIP - 6
阻断电压400 V ， SMD - 6 （选项7 ）
阻断电压400 V ， SMD - 6 （选件9 ）
机构认证
UL1577 ，文件号E52744系统代码H或按J ，
双重保护
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
描述
该IL400是光学耦合的SCR与镓
砷化红外发射器和一个硅光可控硅
传感器。切换可以在保持可实现
触发和负载之间的高度隔离
电路。该IL400可以在SCR可控硅和固体使用
固态继电器的应用，其中高阻断电压
和低输入电流sensitivy是必需的。
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
峰值反向电压
峰值正向电流（ 100
s,
1％的税
循环）
正向连续电流
功耗
从25° C减免线性
文档编号83626
修订版1.5 ， 10月26日04
测试条件
符号
V
RM
I
FM
I
F
P
DISS
价值
6.0
1.0
60
100
1.3
单位
V
A
mA
mW
毫瓦/°C的
www.vishay.com
1
IL400
威世半导体
产量
参数
反向栅极电压
阳极电压（直流或交流峰值）
阳极电流
浪涌电流阳极（ 10毫秒时间）
浪涌栅极电流（ 5.0 ms的时间）
功耗
从25° C减免线性
测试条件
符号
V
RG
V
A
I
A
I
AS
I
GS
P
DISS
价值
6.0
400
100
1.0
200
200
2.11
单位
V
V
mA
A
mA
mW
毫瓦/°C的
耦合器
参数
隔离电压
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
总包耗散
从25℃线性降额
工作温度
储存温度
T
AMB
T
英镑
测试条件
符号
V
ISO
R
IO
R
IO
价值
5300
＆ GT ; 10
12
＆ GT ; 10
12
250
2.63
- 55 + 100
- 55 + 150
单位
V
RMS
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
反向电压
反向电流
测试条件
I
F
= 20毫安
I
R
= 10
A
V
R
= 5.0 V
符号
V
F
V
R
I
R
5.0
10
民
典型值。
1.2
最大
1.5
单位
V
V
A
产量
参数
正向阻断电压
反向阻断电压
通态电压
保持电流
门极触发电压
正向漏电流
反向漏电流
门极触发电流
测试条件
R
GK
= 10 KΩ ，T
A
= 100 °C ,
I
d
= 150
A
R
GK
= 10 KΩ ，T
A
= 100 °C ,
I
d
= 150
A
I
T
= 100毫安
R
GK
= 27 KΩ ，V
FX
= 50 V
V
FX
= 100 V ，R
GK
= 27 K,
R
L
= 10 K
R
GK
= 27 KΩ ，我
F
= 0
R
GK
= 27 KΩ ，我
F
= 0
V
FX
= 100 V ，R
GK
= 27 K,
R
L
= 10 K
符号
V
DRM
V
DRRM
V
t
I
H
V
GT
I
D
I
R
I
GT
0.6
0.2
0.2
20
民
400
400
1.2
500
1.0
2.0
2.0
50
典型值。
最大
单位
V
V
V
A
V
A
A
A
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IL400
威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
这是威世半导体有限公司向政策
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售的业绩和
operatingsystems相对于它们的健康和员工的安全和公众的影响，如
以及它们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
日前，Vishay半导体有限公司已经能够利用不断改进其政策，以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
日前，Vishay半导体有限公司可以证明我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有
索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔
损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
电话： 49 （ 0 ） 67 7131 2831 ，传真号码： 49 （ 0 ） 67 7131 2423
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4
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修订版1.5 ， 10月26日04
