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ISL6520A
数据表
2009年12月10日
FN9016.6
单同步降压脉宽
调制(PWM)控制器
该ISL6520A使得简单的工作了实现的
完整的控制和保护方案的DC / DC
降压转换器。设计用于驱动N沟道
在同步降压拓扑结构, ISL6520A的MOSFET
集成了控制,输出调节,监测和
保护功能集成到一个单一的8引脚封装。
该ISL6520A提供了简单的,单一的反馈回路,
电压模式控制,具有快速的瞬态响应。该
输出电压可精确地调节到低至0.8V ,
具有± 1.5%的过温度和最大耐受
线电压的变化。固定频率振荡器降低
设计的复杂性,同时平衡的典型应用成本
和EF网络效率。
误差放大器具有15MHz的增益带宽
产品和8V / MS压摆率使高转换
带宽快速的瞬态性能。由此产生的
PWM占空比的范围从0 %到100% 。
保护从过电流条件被设置
监测第r
DS ( ON)
上MOSFET抑制PWM的
操作适当。该方法简化了
执行和通过消除提高了效率
需要的电流检测电阻器。
特点
从+ 5V输入进行操作
- 0.8V至V
IN
输出范围
- 0.8V内部参考
- ± 1.5 %,在线路电压和温度
驱动N沟道MOSFET
简单的单回路控制设计
- 电压模式PWM控制
快速瞬态响应
- 高带宽误差放大器器
- 全0%至100%占空比
无损,可编程过流保护
- 使用上MOSFET的
DS ( ON)
小尺寸转换器
- 300kHz的固定频率振荡器
- 内部软启动
- 8 Ld的SOIC或16 Ld的4mmx4mm QFN
QFN封装:
- 符合JEDEC PUB95 MO- 220 QFN - 方形扁平
无引线 - 封装外形
- 靠近芯片级封装尺寸,从而提高
PCB的效率,并具有更薄的外形
无铅(符合RoHS )
引脚配置
ISL6520A
( 8 LD SOIC )
顶视图
BOOT 1
UGATE 2
GND 3
LGATE 4
8相
7 COMP / SD
6 FB
5 VCC
应用
电源微处理器
- 电脑
- 嵌入式控制器
子系统电源
- PCI / AGP / GTL +总线
- ACPI电源控制
- SSTL - 2和DDR SDRAM总线终端供应
电缆调制解调器,机顶盒和DSL调制解调器
DSP和核通信处理器供应
NC
ISL6520A
( 16 LD QFN )
顶视图
NC
NC
内存用品
个人电脑外围设备
12 NC
11 COMP / OCSET
10 NC
16
BOOT
UGATE
GND
NC
1
2
3
4
5
LGATE
15
14
13
工业电源
5V输入DC / DC稳压器
低电压分布式电源
9
6
NC
7
VCC
8
NC
FB
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司(和设计)是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有 Intersil公司美洲2004年, 2006年, 2007年, 2009年版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
ISL6520A
订购信息
产品型号
(注)
ISL6520ACBZ*
ISL6520ACBZA*
ISL6520AIBZ*
ISL6520ACRZ*
ISL6520AIRZ*
ISL6520EVAL1
部分
记号
6520 ACBZ
6520 ACBZ
6520 AIBZ
65 20ACRZ
65 20AIRZ
评估板
TEMP 。 RANGE
(°C)
0至+70
0至+70
-40至+85
0至+70
-40至+85
(无铅)
8 Ld的SOIC
8 Ld的SOIC
8 Ld的SOIC
16 LD的4x4mm QFN
16 LD的4x4mm QFN
M8.15
M8.15
M8.15
L16.4x4
L16.4x4
PKG 。
DWG 。 #
*添加“ -T ”后缀磁带和卷轴。请参阅TB347对卷筒规格的详细信息。
注意:这些Intersil无铅产品采用塑料包装特殊的无铅材料套,模塑料/晶片的附属材料和100 %
雾锡板加退火( E3终止完成,这是符合RoHS标准,既锡铅和无铅焊接操作兼容) 。
Intersil无铅产品分类MSL在达到或超过IPC / JEDEC J无铅要求的无铅峰值回流温度
STD-020.
2
FN9016.6
2009年12月10日
ISL6520A
框图
V
CC
样品
HOLD
OC
比较
+
-
POR和
软启动
BOOT
UGATE
+
0.8V
-
FB
COMP / OCSET
20μA
振荡器
FIXED 300kHz的
GND
LGATE
错误
AMP
+
-
PWM
比较
+
-
抑制
控制
PWM逻辑
VCC
典型用途
V
CC
C
DCPL
VCC
R
OCSET
5
C
体积
D
BOOT
1
BOOT
C
BOOT
L
OUT
C
HF
COMP / OCSET
7
R
F
C
I
C
F
FB
R
OFFSET
6
3
GND
ISL6520A
2
8
4
UGATE
LGATE
+V
O
C
OUT
R
S
3
FN9016.6
2009年12月10日
ISL6520A
绝对最大额定值
电源电压,V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +6.0V
绝对的启动电压,V
BOOT
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +15.0V
上部驱动器电源电压,V
BOOT
- V
。 。 。 。 。 。 。 。 7.0V (DC)的
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8.0V ( <10ns脉冲宽度, 10μJ )
输入,输出或I / O电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND -0.3V到VCC + 0.3V
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2级
热信息
热阻
θ
JA
( ° C / W)
θ
JC
( ° C / W)
SOIC封装(注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
95
不适用
QFN封装(注2,注3 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
45
7
最高结温(塑料封装) 。 。 。 。 。 。 。 。 + 150°C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ° C至+ 150°C
无铅回流焊温度曲线。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。下面。见链接
http://www.intersil.com/pbfree/Pb-FreeReflow.asp
工作条件
电源电压VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 5V ± 10 %
环境温度范围 - ISL6520AC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至+ 70°C
环境温度范围 - ISL6520AI 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至+ 85°C
结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至+ 125°C
注意:不要达到或接近上市较长时间的最高收视率运行。暴露于这样的条件可能不利地影响了产品的可靠性和
导致不在保修范围内的故障。
注意事项:
1.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
2.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。看
技术简介TB379 。
3.
θ
JC
的“外壳温度”的位置是在封装底部的裸露金属焊盘的中心。
电气规格
参数
VCC电源电流
标称电源
上电复位
瑞星VCC POR阈值
VCC POR阈值迟滞
振荡器
频率
斜坡幅度
参考
参考电压容差
标称参考电压
误差放大器器
DC增益
增益带宽积
压摆率
栅极驱动器
上栅源极电流
上栅漏电流
更低的栅极源电流
更低的栅极漏电流
保护/ DISABLE
OCSET电流源
关断阈值
注意:
推荐工作条件,除非另有说明。
符号
I
VCC
POR
测试条件
(注4 )
2.6
4.19
-
f
OSC
DV
OSC
ISL6520AC
ISL6520AI
V
REF
特征值极限和
不生产测试
ISL6520AC , VCC = 5V
ISL6520AI , VCC = 5V
250
230
-
-1.5
-2.5
-
-
-
-
-
-
-
-
17
14
-
典型值
3.2
4.30
0.25
300
300
1.5
-
-
0.800
88
15
8
-1
1
-1
2
20
20
0.8
最大
(注4 )
3.8
4.50
-
340
340
-
+1.5
+2.5
-
-
-
-
-
-
-
-
22
24
-
单位
mA
V
V
千赫
千赫
V
P-P
%
%
V
dB
兆赫
V / μs的
A
A
A
A
A
A
V
增益带宽积
SR
I
UGATE -SRC
V
BOOT
- V
= 5V, V
UGATE
= 4V
I
UGATE - SNK
I
LGATE -SRC
V
VCC
= 5V, V
LGATE
= 4V
I
LGATE - SNK
I
OCSET
V
关闭
ISL6520AC
ISL6520AI
4.参数与MIN和/或最大限制是100 %测试,在+ 25 ° C,除非另有规定。温度限制设立的表征
而不是生产测试。
4
FN9016.6
2009年12月10日
ISL6520A
功能引脚说明
VCC
该引脚提供偏置电源用于ISL6520A ,以及
为降低MOSFET的栅极。连接良好的去耦5V
提供给该引脚。
在软启动和正常转换过程中所有的时间
操作时,该引脚代表了错误的输出
放大器。使用此引脚,结合了
COMP / OCSET销,以补偿所述的电压控制
该转换器的反馈环路。
拉COMP / OCSET的水平低于0.8V禁用
控制器。禁用ISL6520A使振荡器
停止时, LGATE和UGATE输出保持低电平,而
软启动电路重新武装。
FB
该引脚是内部误差放大器的反相输入端。
使用此引脚,结合了COMP / OCSET引脚,
补偿的电压控制反馈环路
转换器。
LGATE
将此引脚连接到较低的MOSFET的栅极。该引脚
提供了较低的PWM控制栅极驱动器
MOSFET。该引脚也可以通过自适应监控
击穿保护电路,以确定何时
较低的MOSFET已经关闭。
GND
该引脚表示为IC的信号和电源接地。
通过最低将此引脚连接到接地岛/平面
阻抗连接可用。
将此引脚连接到上层MOSFET的源极。该引脚
用于监视整个上部MOSFET的电压降
过电流保护。
功能说明
初始化
该ISL6520A在收到电力的自动初始化。
上电复位( POR)功能持续监控
偏置电压VCC引脚。上电复位功能启动
过电流保护( OCP ),采样和保持操作
电源电压超过其POR阈值后。上
OCP的采样完成和保持操作,上电复位
功能启动软启动运行。
UGATE
将此引脚连接到上层MOSFET的栅极。该引脚
为上层的PWM控制栅极驱动器
MOSFET。该引脚也可以通过自适应监控
击穿保护电路,以确定何时
上MOSFET已经关闭。
过电流保护
过电流保护功能,从短路转换器
通过使用上部MOSFET的导通电阻r输出
DS ( ON)
,
监测电流。这种方法提高了转换器的
效率,并通过消除电流检测降低了成本
电阻器。
过流功能的周期在软启动功能
打嗝模式,以提供故障保护。电阻(R
OCSET
)
节目的过电流跳闸水平(参见“典型应用”
第3页) 。
紧随上电复位时, ISL6520A启动
过流保护采样和保持操作。首先,
内部误差放大器被禁用。这允许内部
20mA电流片开发R两端的电压
OCSET
。该
ISL6520A那么这个采样电压COMP引脚。这
采样的电压,这是相对于VCC引脚,被保持
内部为过电流设定点。
当跨越上部MOSFET的电压,这也是
参考VCC引脚,超过了过电流集
点,过流功能启动软启动序列。
图1示出了电感器电流中的故障被引入后
而在15A运行。在连续故障导致
ISL6520A进入打嗝模式的典型周期
为25ms 。电感电流上升到18A在软
发车间隔,并导致过电流跳闸。该转换器
消耗非常少的功率,该方法。测得的
输入功率为图1中的条件是只有1.5W 。
FN9016.6
2009年12月10日
BOOT
该引脚提供接地参考偏置电压的
上MOSFET驱动器。一个自举电路,用于创建一个
适用电压驱动逻辑电平N沟道MOSFET 。
COMP / OCSET
这是一个复用的引脚。在很短的时间周期
下面的上电复位( POR ) ,该引脚用于确定
该转换器的过电流阈值。连接
电阻器(R
OCSET
)从这个引脚上的漏
MOSFET (V
CC
). R
OCSET
,内部20μA电流源
(I
OCSET
),以及上部MOSFET的导通电阻(R
DS ( ON)
)
根据设定的转换器过电流( OC )跳变点
方程1:
I
OCSET
xR
OCSET
I
PEAK
= ------------------------------------------------
-
r
DS
(
ON
)
(当量1)
该ISL6520A的内部电路将无法识别的电压
R两端下降
OCSET
比0.5V大。任何电压降
R两端
OCSET
大于0.5V将设置
过电流跳闸点:
0.5V
I
PEAK
= ----------------------
r
DS
(
ON
)
(当量2)
过电流跳闸循环软启动功能。
5
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