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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1722页 > AP09N70R-A
AP09N70R-A
无铅电镀产品
先进的电源
电子股份有限公司
动态的dv / dt额定值
额定重复性雪崩
快速开关
简单的驱动要求
符合RoHS
G
D
D
N沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
650V
0.75Ω
9A
G
S
S
描述
AP09N70系列产品是专门设计用于主开关器件
万向90 〜265VAC离线AC / DC转换applications.Both的TO-220
和TO -262型提供高阻断电压,以克服电压浪涌
和凹陷在最艰难的电力系统的快速的最佳组合
开关,加固设计和成本效益。
G
D
S
TO-262(R)
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
E
AS
I
AR
E
AR
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流, V
GS
@ 10V
连续漏电流, V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
等级
650
±30
9
5
40
156
1.25
2
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
mJ
A
mJ
总功耗
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
存储温度范围
工作结温范围
305
9
9
-55到150
-55到150
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
热阻结案件
热阻结到环境
马克斯。
马克斯。
价值
0.8
62
单位
℃/W
℃/W
200705053-1/6
数据&规格如有变更,恕不另行通知
AP09N70R-A
电气特性@ T
j
= 25 ℃(除非另有规定)
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
o
参数
漏源击穿电压
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
=1mA
分钟。
650
-
-
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.6
-
-
4.5
-
-
-
44
11
12
19
21
56
24
2660
170
10
MAX 。单位
-
-
0.75
4
-
10
100
±100
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V/℃
Ω
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
击穿电压温度系数
参考25 ℃ ,我
D
=1mA
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
静态漏源导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流(T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流(T
j
=150
o
C)
V
GS
= 10V ,我
D
=4.5A
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ,我
D
=4.5A
V
DS
=650V, V
GS
=0V
V
DS
=520V
,
V
GS
=0V
V
GS
=±30V
I
D
=9A
V
DS
=480V
V
GS
=10V
V
DD
=300V
I
D
=9A
R
G
=10Ω,V
GS
=10V
R
D
=34Ω
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
栅源漏
总栅极电荷
3
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( "Miller" )充电
导通延迟时间
3
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
注意事项:
1.Pulse宽度有限的安全工作区。
o
2.Starting牛逼
j
= 25℃ ,V
DD
= 50V ,L = 6.8mH ,R
G
=25Ω , I
AS
=9A.
参数
连续源电流(体二极管)
测试条件
V
D
=V
G
=0V , V
S
=1.5V
1
分钟。
-
-
-
典型值。
-
-
-
MAX 。单位
9
40
1.5
A
A
V
脉冲源电流(体二极管)
正向电压上
3
T
j
=25℃, I
S
= 9A ,V
GS
=0V
3.Pulse宽度<300us ,占空比<2 % 。
2/4
AP09N70R-A
10
10
T
C
=25
o
C
8
I
D
,漏电流( A)
I
D
,漏电流( A)
10V
6.0V
5.0V
T
C
=150 C
8
o
10V
6.0V
5.0V
4.5V
6
6
4
4
4.5V
2
4.0V
2
4.0V
V
G
= 3 .5 V
0
0
3
6
9
12
0
V
G
= 3 .5 V
0
5
10
15
20
25
V
DS
,漏极至源极电压( V)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
1.2
3
归BV
DSS
(V)
1.1
I
D
=4.5A
V
G
=10V
归一化ř
DS ( ON)
2
1
1
0.9
0.8
-50
0
50
100
150
0
-50
0
50
100
150
T
j
,结温( C)
o
T
j
,结温( C)
o
图3.归BV
DSS
V.S.连接点
温度
100
5
图4.归一导通电阻
V.S.结温
4
10
I
S
(A)
T
j
= 150 C
o
o
T
j
= 25 C
V
GS ( TH)
(V)
3
1
2
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1
-50
0
50
100
150
V
SD
,源极到漏极电压(V )
T
j
,结温( C)
o
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
3/4
AP09N70R-A
f=1.0MHz
16
10000
V
GS
,门源电压( V)
I
D
=9A
12
C
国际空间站
V
DS
=320V
V
DS
=400V
V
DS
=480V
8
C( pF)的
C
OSS
100
4
C
RSS
0
1
0
20
40
60
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
,总栅极电荷( NC)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
100
1
归热响应(R
thJC
)
占空比系数= 0.5
10
10us
100us
1ms
0.2
0.1
I
D
(A)
0.1
0.05
1
0.02
P
DM
T
c
=25 C
单脉冲
o
10ms
100ms
t
0.01
T
单脉冲
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJC
+ T
C
0.1
1
10
100
1000
10000
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
V
DS
,漏极至源极电压( V)
T,脉冲宽度(S )
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
V
DS
90%
V
G
Q
G
10V
Q
GS
Q
GD
10%
V
GS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
收费
Q
图11.开关时间波形
图12.栅极电荷波形
4/4
AP09N70R-A
无铅电镀产品
先进的电源
电子股份有限公司
动态的dv / dt额定值
额定重复性雪崩
快速开关
简单的驱动要求
符合RoHS
G
D
D
N沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
650V
0.75Ω
9A
G
S
S
描述
AP09N70系列产品是专门设计用于主开关器件
万向90 〜265VAC离线AC / DC转换applications.Both的TO-220
和TO -262型提供高阻断电压,以克服电压浪涌
和凹陷在最艰难的电力系统的快速的最佳组合
开关,加固设计和成本效益。
G
D
S
TO-262(R)
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
E
AS
I
AR
E
AR
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流, V
GS
@ 10V
连续漏电流, V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
等级
650
±30
9
5
40
156
1.25
2
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
mJ
A
mJ
总功耗
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
存储温度范围
工作结温范围
305
9
9
-55到150
-55到150
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
热阻结案件
热阻结到环境
马克斯。
马克斯。
价值
0.8
62
单位
℃/W
℃/W
200705053-1/6
数据&规格如有变更,恕不另行通知
AP09N70R-A
电气特性@ T
j
= 25 ℃(除非另有规定)
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
o
参数
漏源击穿电压
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
=1mA
分钟。
650
-
-
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.6
-
-
4.5
-
-
-
44
11
12
19
21
56
24
2660
170
10
MAX 。单位
-
-
0.75
4
-
10
100
±100
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V/℃
Ω
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
击穿电压温度系数
参考25 ℃ ,我
D
=1mA
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
静态漏源导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流(T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流(T
j
=150
o
C)
V
GS
= 10V ,我
D
=4.5A
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ,我
D
=4.5A
V
DS
=650V, V
GS
=0V
V
DS
=520V
,
V
GS
=0V
V
GS
=±30V
I
D
=9A
V
DS
=480V
V
GS
=10V
V
DD
=300V
I
D
=9A
R
G
=10Ω,V
GS
=10V
R
D
=34Ω
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
栅源漏
总栅极电荷
3
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( "Miller" )充电
导通延迟时间
3
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
注意事项:
1.Pulse宽度有限的安全工作区。
o
2.Starting牛逼
j
= 25℃ ,V
DD
= 50V ,L = 6.8mH ,R
G
=25Ω , I
AS
=9A.
参数
连续源电流(体二极管)
测试条件
V
D
=V
G
=0V , V
S
=1.5V
1
分钟。
-
-
-
典型值。
-
-
-
MAX 。单位
9
40
1.5
A
A
V
脉冲源电流(体二极管)
正向电压上
3
T
j
=25℃, I
S
= 9A ,V
GS
=0V
3.Pulse宽度<300us ,占空比<2 % 。
2/4
AP09N70R-A
10
10
T
C
=25
o
C
8
I
D
,漏电流( A)
I
D
,漏电流( A)
10V
6.0V
5.0V
T
C
=150 C
8
o
10V
6.0V
5.0V
4.5V
6
6
4
4
4.5V
2
4.0V
2
4.0V
V
G
= 3 .5 V
0
0
3
6
9
12
0
V
G
= 3 .5 V
0
5
10
15
20
25
V
DS
,漏极至源极电压( V)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
1.2
3
归BV
DSS
(V)
1.1
I
D
=4.5A
V
G
=10V
归一化ř
DS ( ON)
2
1
1
0.9
0.8
-50
0
50
100
150
0
-50
0
50
100
150
T
j
,结温( C)
o
T
j
,结温( C)
o
图3.归BV
DSS
V.S.连接点
温度
100
5
图4.归一导通电阻
V.S.结温
4
10
I
S
(A)
T
j
= 150 C
o
o
T
j
= 25 C
V
GS ( TH)
(V)
3
1
2
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1
-50
0
50
100
150
V
SD
,源极到漏极电压(V )
T
j
,结温( C)
o
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
3/4
AP09N70R-A
f=1.0MHz
16
10000
V
GS
,门源电压( V)
I
D
=9A
12
C
国际空间站
V
DS
=320V
V
DS
=400V
V
DS
=480V
8
C( pF)的
C
OSS
100
4
C
RSS
0
1
0
20
40
60
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
,总栅极电荷( NC)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
100
1
归热响应(R
thJC
)
占空比系数= 0.5
10
10us
100us
1ms
0.2
0.1
I
D
(A)
0.1
0.05
1
0.02
P
DM
T
c
=25 C
单脉冲
o
10ms
100ms
t
0.01
T
单脉冲
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJC
+ T
C
0.1
1
10
100
1000
10000
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
V
DS
,漏极至源极电压( V)
T,脉冲宽度(S )
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
V
DS
90%
V
G
Q
G
10V
Q
GS
Q
GD
10%
V
GS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
收费
Q
图11.开关时间波形
图12.栅极电荷波形
4/4
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厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
QQ: QQ:848201894
电话:0755-23894478/15820458722
联系人:欧阳先生
地址:华强北,华匀大夏713室
AP09N70R-A
APEC
17+
10000
代理原装
原装正品
QQ: QQ:2028567797 QQ:3240702125
电话:0755-82706142/23613962
联系人:马先生 雷小姐
地址:深圳市福田区红荔路上步工业区501栋488
AP09N70R-A
富鼎
16+
9000
TO-262
全新原装正品,现货
QQ: QQ:3270785453 QQ:3360093558
电话:0755-23941632/83225692/83226005
联系人:朱先生
地址:深圳市福田区上步工业区201栋530室
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8650000
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代理此型号.原装特价现货!
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联系人:朱先生
地址:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼4A68-2室
AP09N70R-A
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39600
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进口原装正品,公司现货库存假一罚十,电话:0755-23945755 QQ:3065848471
QQ: QQ:31563136 QQ:1978851125 QQ:1018497953 QQ:68539294 QQ:1240193672
电话:0755-61390539
联系人:欧阳小姐
地址:大陆办公室:深圳市福田区深南中路南光捷佳2720室/门市地址:福田区华强北高科德52835 香港地址:九龙旺角花园街2-16号好景商业中心10楼1005室
AP09N70R-A
富鼎
2016+
1356000
TO-262
全新原装0755-61390598
QQ: QQ:2881479202 QQ:2881479205
电话:0755-22666183/23964265
联系人:雷先生/李小姐
地址:深圳市福田区华强北路上步工业区501栋412室
AP09N70R-A
APEC
16+
88600
原厂封装
代理渠道,特价销售!
QQ: QQ:1067153998 QQ:1291778728 QQ:1065515705
电话:0755-83789203/83789027
联系人:颜S/姚S/林S/郑S
地址:广东省深圳市福田区高科德电子市场51863#
AP09N70R-A
最新年份
3860
原装进口正品公司现货
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